《科创板日报》27日讯，三星电子SAIT（原三星先进技术研究院）27日宣布，将在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。该结构结合了铁电半导体和氧化物半导体，可将NAND Flash的功耗降低90%以上。这项技术有望提升包括人工智能（AI）数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。 (ZDNET Korea)