《科创板日报》6日讯，三星电子6日宣布，三星高级技术学院(SAIT)的研究人员与蔚山国家科学技术学院(UNIST)、剑桥大学两家高校合作，发现了一种名为非晶态氮化硼(a-BN)的新材料，此项研究可能加速下一代半导体材料的问世。据悉，非晶态氮化硼有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案等半导体，特别是用于大规模服务器的下一代内存解决方案。（BusinessKorea）