财联社9月23日讯，据媒体报道称，台积电2nm制程研发获重大突破。区别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，台积电2nm改采用全新的多桥通道场效晶体管（MBCFET）架构，此种架构能解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题，研发进度超前。以台积电2nm目前的研发进度研判，供应链预计台积电2023年下半年可望进入风险性试产，2024年正式量产。有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单。