瑞能半导体CEO荣膺ASPENCORE全球电子成就奖之年度贡献人物奖
2020-11-20 16:37 星期五
瑞能半导体科技股份有限公司

瑞能半导体科技股份有限公司(WeEn Semiconductors Co., Ltd)今天宣布,瑞能半导体首席执行官 Markus Mosen 荣膺2020年 ASPENCORE 全球电子成就奖 (WEAA) 之年度贡献人物奖。此外,瑞能半导体1200V 碳化硅 MOSFET也获得了年度功率最佳产品大奖。

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由于疫情的缘故,Markus Mosen先生没办法来到深圳,在颁奖晚宴上,通过视频的方式,他首先用中文表示了不能到达现场的遗憾,他说到“ 很高兴获得由WEAA 评审委员选出的“年度贡献人物奖”这是对我们公司的有力肯定,我深感荣幸”他强调到,这个奖项不止是对他个人的认可,也是对整个公司,整个瑞能团队的认可,正是每一位瑞能员工的不断努力才让瑞能成为了整个半导体行业的佼佼者。

Markus Mosen先生拥有逾28年半导体行业全球运营和产品线管理经验,自2015年出任瑞能半导体科技股份有限公司CEO以来,凭借其极其敏锐的市场洞察力,奠定了瑞能半导体以科技为先的发展基础,带领团队先后开发并成立了中国、亚太,欧洲及北美区销售和市场业务办事处,扩大了瑞能的事业版图。面对2020年疫情带来的巨大挑战和国际市场不确定性,Markus先生根据市场动态和需求,及时调整了公司的组织架构和发展战略, 不断推进产品多元化发展,拓宽产品组合和产品应用。

与此同时,在这次WEAA全球电子成就奖的评选中,瑞能半导体1200V 碳化硅MOSFET也凭借突出的产品特性,再获殊荣,夺得2020年度功率半导体大奖。

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瑞能1200V碳化硅MOSFET产品使用独特的高性能与高可靠性兼备的平面栅自对准工艺,可提供出色的开关性能和苛刻应用条件下的强鲁棒性。此外,超薄的晶圆厚度和紧凑的单位元胞设计使得产品的比导通电阻达到业界较低水平。

目前瑞能1200V碳化硅MOSFET包含160mΩ\80mΩ\40mΩ\25mΩ等多个规格,同时可提供TO247-3L, TO247-4L, D2PAK-7L等多种封装形式。可广泛应用于开关电源、光伏逆变器、充电桩、新能源汽车等多个领域。相比于市场现有产品,瑞能碳化硅MOSFET在高温工作条件下仍然具有较高的安全阈值电压和较低的导通电阻。

近年来,针对电动、混动车等新能源汽车应用,瑞能也推出了一系列汽车级功率半导体器件产品,并在第三代半导体领域颇有建树,确保公司具备可持续的核心竞争力,为未来业绩的稳健增长提供保障,持续提升在功率半导体的行业地位!

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