存储芯片国产化又跃一步!兆易创新首款自研DRAM实现量产 有望分享行业高景气
原创
2021-06-03 13:26 星期四
科创板日报 郑远方

《科创板日报》(上海,研究员 郑远方)讯,兆易创新今日宣布,首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列现已量产,实现从设计、流片,到封测、验证的全面国产化,助力国产自主供应生态圈的发展构建。

兆易创新副总裁、DRAM事业部总经理胡洪表示,首款自有品牌DRAM产品标志着兆易创新正式入局DRAM这一主流存储市场;未来公司将加速DRAM产品线布局,陆续推出DDR3、DDR4等接口的不同容量的系列产品。

需求高涨 存储器产业迈入成长周期

去年以来,5G、消费电子、AI、物联网等市场快速发展,叠加疫情下居家办公、远距学习模式,存储需求大幅拉高,推动存储器产业持续成长。存储大厂美光CEO也看好产业存储需求,指出NAND和DRAM供给面紧俏态势将延续至2022年。

供需缺口拉大下,存储芯片一路上涨。其中,DRAM Flash Q2报价涨幅已进入全年峰值,从4月至6月累计涨幅将达到20~25%。另有业内人士预估,Q3 NAND Flash合同市场价涨幅甚至有望超过DRAM。

IC Insights预计,全球存储芯片市场将持续4年高景气度,2020-2025年全球存储芯片市场年复合增长率将达10.6%。其中,DRAM和NAND闪存会是2021年增长最快的两个细分领域。

量价齐升 存储芯片国产化进程加速

统计数据显示,存储芯片市场集中度较高,市场中DRAM产品占比约53%,NAND则约为42%。中国存储芯片市场规模超3000亿元,DRAM和NAND合计占比达98%。

然而,存储器行业目前主要被海外公司垄断,大陆进入产业较晚,因此作为全球存储最大市场,自给率几乎为零,国产化势在必行。

NAND方面,国内厂商已有布局。国金证券6月3日指出,SLC 是进入MLC、TLC 及 3D的必经之路,国内厂商具备本土化优势,可以稳步占据供应链关键位置。

DRAM领域,国内厂商也已开启加速追赶,主要厂商包括兆易创新、福建晋华、合肥长鑫、紫光南京等。其中,国金证券上述研报指出,兆易创新首款自研DRAM主要面向IPC、TV等消费类利基市场,由于工艺制程先进,产品具备强劲市场竞争力,收获期在望。

此外,业内分析人士表示,我国已出台一系列产业政策推动国产存储器发展,存储产业链国产化比例提升持续加速。

除上述公司外,还可关注存储器产业链相关标的,包括太极实业、紫光国微、深科技等。

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