《科创板日报》11日讯，6月10日，中国科学院官网刊文称，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室在计算光刻技术研究方面取得重要进展，提出了一种基于虚拟边与双采样率像素化掩模图形的快速光学邻近效应修正技术（OPC），可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口。此类技术被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。