2021年06月21日 09:57:03
国星光电参与两项碳化硅团体标准起草及讨论会
财联社6月21日讯,近日,国星光电受第三代半导体联盟标委会(CASAS)邀请参与了《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》、《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法》两项团体标准的起草与草案讨论(线上),助力加速第三代半导体国产化替代进程。
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