《科创板日报》4日讯，记者从龙腾半导体股份有限公司（以下简称“龙腾股份”）获悉，公司目前正在开展基于12英寸晶圆工艺平台的功率MOSFET产品，产品已处于工程批试产阶段。公司在IGBT方面已有产品处于三批量阶段，未来将进一步丰富产品系列。公司资料显示，龙腾股份超结MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET 和沟槽型MOSFET 芯片以基于8 英寸晶圆工艺平台进行研发设计为主，平面型MOSFET 芯片则基于6 英寸晶圆工艺平台进行研发设计为主。（记者 章银海）