《科创板日报》22日讯，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员已实现硅晶圆上高性能二维半导体生长，新型2D材料硒化铟（InSe）可以在足够低的温度下沉积以与硅芯片集成。