【电报解读】存储巨头斥资万亿扩产,AI发展驱动HBM放量,这些环节随之受益,这家公司应用于HBM的材料已通过部分客户认证
电报解读
2023.11.06 19:37 星期一

一、HBM成AI时代“新宠”,存储巨头斥资万亿扩产

近日,三星电子、SK海力士等韩国本土存储半导体企业正在推动HBM专用线的扩张。两家公司计划在明年年底前投资超过2万亿韩元,使HBM生产线目前的产能增加一倍以上。SK海力士计划利用利川现有HBM生产基地后的清州工厂的闲置空间。三星电子正在考虑扩大位于忠清南道天安市的HBM核心生产线。

HBM与其他DRAM最大的差别是拥有超高带宽。内存带宽是处理器从内存读取数据或将数据存储到内存的速率,过去20年,硬件的峰值计算能力增加了90000倍,但是内存/硬件互连带宽却只提高了30倍。HBM采用硅通孔(TSV)技术将DRAM裸片垂直堆叠并和GPU封装在一起,可以提供更快的并行数据处理速度,因此成为高性能GPU的核心组件。目前最新的HBM3的带宽最高可以达到819 GB/s,而最新的GDDR6的带宽最高只有96GB/s,CPU和硬件处理单元的常用的DDR4的带宽更是只有HBM的1/10。

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二、HBM市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益

TrendForce集邦咨询预估,2023年AI服务器出货量近120万台,预计HBM需求将激增60%达2.9亿GB,2024年预计将再增加30%。HBM成本在AI服务器成本中占比排名第三,约占9%,单机ASP(单机平均售价)高达18000美元。市场调研机构Omdia预测,2025年HBM市场的总收入将达到25亿美元。

从产业链上看,HBM市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益。

封装环节:由于HBM需要集成多个芯片,因此封装成为制造该产品的关键环节。譬如三星与SK海力士无法将HBM以成品形式供给客户,而是需要经过台积电集成。台积电之外,三星和SK海力士也在考虑增加封装生产线。

材料端:HBM多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升,制造材料核心厂商包括雅克科技、神工股份等;对于封装材料:HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长,而且对封装高度、散热性能提出更高要求,封装材料核心厂商包括联瑞新材、华海诚科、飞凯材料等。

设备端:由于独特的3D堆叠结构,HBM芯片为上游设备带来了新的增量——前道环节,HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接,增加了TSV刻蚀设备需求;中段环节,HBM带来了更多的晶圆级封装设备需求;后道环节,HBM的多芯片堆叠带来diebond设备和测试设备需求增长。

三、相关上市公司:华海诚科、联瑞新材

华海诚科在互动平台表示,公司可以应用于HBM的材料已通过部分客户认证。

联瑞新材配套供应HBM封装材料GMC所用球硅和Low α球铝,公司部分客户是全球知名的GMC供应商。

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