本周A股三大指数反弹拉升，其中上证指数周涨1.52%，深成指周涨2.65%，创业板指周涨2.10%。本周沪指创10年内新高，但市场成交量较上周继续萎缩。

题材表现来看，本周存储芯片概念股涨幅居前。消息方面，SK海力士近期宣布，已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。在此之前，存储大厂铠侠宣布与英伟达合作开发读取速度远超传统SSD的新型固态硬盘，实现GPU直接连接。目前来看，随着人工智能、5G、物联网等新兴技术的快速发展，对高性能存储芯片的需求持续增长。

此外，固态电池周内持续活跃，消息面上，工信部计划于2025年9月对2024年启动的60亿元固态电池重大研发专项进行中期审查，通过审查的项目将获得后续拨款，并可能启动第二轮补贴申报窗口。此外，多家电池厂近期宣布已建成或即将建成全固态电池中试线，并明确量产计划，产业链需求预期升温。可见在政策支持与产业化推进的“双轮驱动”，固态电池作为长期技术迭代逻辑清晰。

近期栏目策划专题持续覆盖半导体、固态电池等方向，并挖掘市场中的多条重要资讯，进行深度解读。接下来就结合近期优质案例，来盘点如何利用本栏目快速透视市场热点：

【一】AI手机和AIPC渗透率提升，存储需求有望持续攀升！栏目火速梳理受益方向，Ta2日大涨超18%

随着AI技术向终端设备加速渗透，一场由AI手机和AIPC驱动的存储芯片需求提升浪潮正席卷而来。行业巨头频繁调价，市场供需格局持续紧张，财联社VIP王牌资讯乘此时机，于9月11日 13:57发布文章《这类产品需求有望持续攀升，行业巨头此前已连续调价》，挖掘有望在这轮发展红利中脱颖而出的细分方向。

据悉，9月4日，闪迪再次宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上，未来将继续定期进行价格评估，并可能在未来几个季度进行其他调整。此前4月1日，闪迪已宣布10%的NAND内存涨幅。

文章引用东海证券分析师观点，指出：随着AI热度持续高涨和各类型设备对存储需求的持续攀升，到2026年，供需缺口可能进一步扩大，甚至出现全面短缺。闪迪的连续调价举措强化了市场对第三季度NAND价格上涨的预期，预计前四大NAND生产商也将跟进涨价，整体来看，未来一段时间存储价格预计将维持高位震荡格局。

面对这一波存储需求浪潮，多家国内上市公司早已布局，其中江波龙已成功开发512Mb到8Gb之间的五款SLC NAND Flash存储芯片，并积极扩展小容量存储芯片产品线。公司随后2日持续走高，截至9月12日收盘区间最高涨幅达18.81%。

【二】利好频传！机构称政策支持下固态电池产业进展持续加速，栏目点评业内优质公司

近期固态电池产业利好频传。9月以来，珠海冠宇、亿纬锂能、先导智能、国轩高科等多家A股上市公司密集披露固态电池领域的进展。行业人士表示，当前固态电池行业正处于从实验室验证向产业化过渡的关键阶段。政策、资金多方助力，推动产业落地加速。

乘此时机，栏目策划固态电池相关专题，并在9月期间持续跟踪产业链的新动态。栏目在9月9日盘前发布文章《机构称政策支持下产业进展持续加速，下游覆盖“机器人+低空经济+消费电子”等应用场景》，引用券商分析师观点点评固态电池的发展空间及产业链内优质公司。此后，在9月11日结合固态离子能源科技有限公司总部建设项目启动，再度发文并引用分析师观点指出：该新技术有望成为终极技术路线。

根据EVTank的预测数据，2030年全球固态电池出货量将达到614GWh，2024-2030年出货量CAGR超80%，我国固态电池市场规模亦有望持续扩大，2027年为加速节点，到2030年市场规模将达到200亿元。固态电池有望在消费电子领域率先导入，未来将持续赋能动力领域，eVTOL、机器人打开应用想象空间。从产业终局视角看，固态电池将实现对于锂电的完全替代，但中短期节奏上能量密度要求高、成本敏感性低的领域将率先完成渗透。

细分方向来看，浙商证券分析师建议关注各细分材料环节布局领先的龙头企业(硫化物电解质、硫化锂、单晶高镍三元正极&富锂锰基正极、CVD硅碳负极&锂金属负极、镀镍&多孔铜箔&镍基集流体、单壁碳纳米管、UV胶、骨架膜、电解质粘结剂等)，以及进展领先的固态电池龙头。

上市公司中，道氏技术的单壁碳纳米管、硅碳负极已向下游固态电池厂商供货。公司随后震荡走高，截至9月12日收盘，区间最高涨幅达17.51%。

【三】头部公司已经注意到碳化硅在中介层中的应用潜力，栏目快速梳理产业链发展空间，已有公司大涨

消息面上，北京晶飞半导体科技有限公司在碳化硅晶圆加工技术领域取得重大突破，成功利用自主研发的激光剥离设备实现了12英寸碳化硅晶圆的剥离。

获悉此讯后，栏目在9月10日快速发文《部分头部公司已经注意到其应用潜力》点评碳化硅产业链的发展空间。文中指出该突破标志着中国在第三代半导体关键制造装备领域迈出重要一步，为全球碳化硅产业的降本增效提供了全新解决方案。

据东方证券分析师观点称，碳化硅导热性能优异，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益。碳化硅晶体具有很高的导热性能，热导率可达500W/mK，相比之下，硅的热导率仅为约150W/mK。中介层是CoWoS封装平台的核心部件之一，目前主要由硅材料制作。随着英伟达GPU芯片的功率越来越大，将众多芯片集成到硅中介层将导致更高的散热性能要求，而如果采用导热率更好的SiC中介层，其散热片尺寸有望大幅缩小，优化整体封装尺寸。基于此，部分头部公司已经注意到碳化硅在中介层中的应用潜力。

上市公司中，晶盛机电实现半导体8-12英寸大硅片设备的国产化，并延伸拓展至芯片制造和先进封装领域。截至9月12日收盘，公司区间最高涨幅达13.6%。

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