一、四季度企业级存储价格或将继续上涨

存储第一轮涨价潮开始于今年4月，当时三星率先宣布今年将开始逐步停止生产DDR4内存颗粒，从而专注于生产更高端、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM内存。之后SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将DDR4产能压缩至20%左右。

存储第二轮涨价潮开始于9月，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上，未来还将继续定期进行价格评估，并可能进行其他调整。此后，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%-30%。存储模组大厂威刚宣布，自9月29日起停止DDR4报价，DDR5与NAND闪存优先供应主要客户。与此同时，NAND闪存控制芯片大厂群联则已是恢复了部分报价，价格涨幅约10%，此举被业内看作NAND闪存市场的“开涨信号”。

CFM闪存市场指出，DRAM价格指数半年内上涨约72%，NAND涨价情绪高涨，预计四季度企业级存储价格将上涨。

二、外资大行称行业迎来“前所未有四年定价上行周期”

摩根大通认为，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。在AI计算对高性能内存的巨大需求的推动下，“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”，预计到2027年，全球存储市场规模将达到近3000亿美元。

平安证券补充称，自第三季度起DRAM和NAND Flash存储产品合约价有望筑底回升，叠加eSSD、RDIMM等企业级存储产品需求持续高企，相关存储产业链企业业绩有望迎来明显改善。

三、相关上市公司：聚辰股份、澜起科技

聚辰股份：公司是业内少数拥有完整SPD产品组合和技术储备的企业，旗下武汉喻芯专注于NAND及DRAM存储器研发。公司工业级存储芯片现已广泛应用于工业自动化（如伺服控制、机器人、人机交互）、数字能源（如光储充一体、逆变器）以及通信基站（如高速光模块）等领域。

澜起科技：公司推出了首批可编程时钟发生器芯片（Clock Generator），主要针对存储、算力芯片、交换机等应用场景对高性能时钟的需求。