财联社11月17日电，立昂微(605358.SH)公告称，公司控股子公司金瑞泓微电子与衢州智造新城管理委员会签署协议，计划在现有厂房内建设“年产180万片12英寸重掺衬底片项目”，总投资约22.62亿元。项目建设周期约60个月，将分阶段进行，预计每年投入约3.5亿元。金瑞泓微电子此次投资系在金瑞泓微电子现有厂房内实施的扩产项目。该项目可与现有“年产180万片12英寸半导体硅外延片项目”形成上下游配套，制备出的12英寸重掺系列外延片，满足高端功率器件需求，应用于AI服务器不间断电源、储能变流器、充电桩、工业电子、伺服驱动器、以及消费类电子、汽车电子、家用电器、嵌入式系统和工业控制等。项目实施后，公司将新增年产180万片12英寸重掺衬底片的产能规模，有利于开发和制备当前高端功率器件市场急需的重掺砷、重掺磷等系列的厚层、埋层等特殊规格的硅外延片产品，可显著提高公司重掺系列硅片生产能力。