财联社资讯获悉，媒体报道，英特尔CEO陈立武在思科会议上释放了极具冲击力的供需信号。他透露与两家主要存储大厂沟通后的结论是：供应紧张至少将持续至2028年。前市场普遍认为存储周期约在2025—2026年见顶，而陈立武给出的“2028年”节点远超华尔街共识，暗示本轮“超级周期”的持续性可能被低估。

一、AI驱动存储涨价效应扩散

信达证券研报指出，存储大厂业绩创新高，AI驱动存储涨价效应扩散。AI大模型训练和推理需求的快速增长是此轮存储行业复苏的核心动力，高性能存储产品需求呈现爆发式增长，其中HBM作为AI服务器的核心配套器件，成为头部厂商的业绩增长支柱。与此同时，服务器DRAM、企业级SSD需求同步提升，这些高性能产品出货量的增加也进一步挤占了其他存储产品的产能，造成消费类产品出现供给收缩，存储涨价效应从AI扩散到其他领域。根据TrendForce，1Q26通用DRAM合约价格或将环比上涨约55%至60%，NAND闪存价格预计将上涨33%至38%，其中消费级大容量QLC产品涨幅不低于40%。判断在供给持续收缩趋势下，存储价格涨势仍将持续。

二、相关上市公司：北京君正、矽电股份、精智达

北京君正利基型DRAM、SRAM、Flash等产品主要应用于汽车、工业医疗等利基型市场，公司也会积极寻找新的应用方向。公司面向AI存储领域的3DDRAM产品正在研发中。

矽电股份自主研发的高端全自动、高精度12吋晶圆探针台适用于存储芯片的探针测试。公司DEMO设备已发往长江存储等重点客户进行试产验证。

精智达已基本实现半导体存储器件测试设备主要产品的全面布局，能够为客户提供系统化解决方案。