【电报解读】三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品，需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张，这家公司相关产品市占率稳居全球前三

电报解读

2026.03.16 14:43 星期一

//电报内容

【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】《科创板日报》16日讯，三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)

//解读摘要

三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品，需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张，这家公司相关产品市占率稳居全球前三，另一家碳化硅业务实现8英寸工艺升级。

单篇付费￥12可解锁全文

火线解读！即时推送重要资讯独家深度解析

￥898 起

立即购买

展开

最新文章

发现至今最高涨幅+18.27%

VIP试读

相关股票：

主板

2只

栏目：电报解读07月13日 22:37

声明：

1、财联社VIP各专栏产品均系内容资讯服务，并非投资建议。栏目内容仅供参考，据此作出任何投资决策自行承担风险责任，与本公司及栏目作者无关；

2、财联社VIP专栏产品所发内容版权归财联社所有，未经书面授权任何商业机构、网站、公司及个人禁止转载或再利用文中信息，违者必究；

3、财联社VIP专栏产品为虚拟内容服务，一经订阅概不退款，请您理解。

首页