很抱歉,当前没有启用javascript,网站无法正常访问。请开启以便继续访问。
logo2026年06月30日 12:43:44
东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
财联社6月30日电,东芝电子元件及存储装置株式会社6月30日宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。
269.08W
关联话题
7.21W 人关注
6728 人关注
8069 人关注
关于我们|网站声明|联系方式|用户反馈|网站地图|友情链接|举报电话:021-54679377转617举报邮箱:editor@cls.cn财联社举报
财联社 ©2018-2026上海界面财联社科技股份有限公司 版权所有沪ICP备14040942号-9沪公网安备31010402006047号互联网新闻信息服务许可证:31120170007沪金信备 [2021] 2号