财联社7月15日讯（记者 王碧微）“登陆资本市场对长鑫科技（688825.SH，申购代码787825）而言，既是新的起点，更意味着新的责任。”今日，长鑫科技董事长朱一明在长鑫科技IPO网上路演现场表示。

今年以来A股规模最大的IPO正进入申购倒计时。

昨日晚间，长鑫科技披露首次公开发行股票并在科创板上市发行公告，发行价格确定为8.66元/股，结合公司上市后的总股本来推算，长鑫科技的上市估值约为5792亿元。

投资者可在7月16日（明日）进行网上和网下申购。

发行公告显示，长鑫科技本次初始发行66.88亿股，占发行后总股本的10%，其中初始战略配售数量为33.44亿股，占初始发行数量的50%。长鑫科技同时授予中金公司不超过初始发行数量15%的超额配售选择权。按发行价计算，超额配售选择权行使前，募资总额为579.19亿元；若全额行使，募资总额将达到666.07亿元，募资规模为今年截至目前A股IPO之最。

市场对于长鑫科技的上市期待已久。

发行公告显示，截至7月13日初步询价结束，联席主承销商共收到333家网下投资者管理的11537个配售对象的报价，报价区间为7.26元/股至65.19元/股，拟申购数量总和达12860.62亿股。

按发行价计算，长鑫科技对应2025年扣非前后孰低摊薄后市盈率为308.92倍，该市盈率高于行业的平均市盈率76.32倍，也高于可比公司的平均市盈率134.62倍。

但308.92倍的静态市盈率是以2025年的利润为计算基数，而长鑫科技2025年刚刚扭亏，这一指标的参考意义有限。

若按2026年上半年归母净利润预告的下限500亿元简单年化，长鑫科技全年归母净利润约为1000亿元，对应约5800亿元的发行估值，动态市盈率不到6倍，长鑫科技上市后的走势也因此更值得关注。

存储潮起，长鑫“上桌”

长鑫科技成立于2016年，总部位于合肥。

CINNO Research资深分析师王菁向财联社记者表示，长鑫科技是目前国内唯一实现通用DRAM大规模量产的IDM（设计制造一体化）企业，在国产替代的背景下具有极高战略价值。

DRAM是手机、电脑和服务器中负责数据临时存储的核心芯片，全球市场长期由三星电子、SK海力士和美光科技三家主导，三家均采用IDM（设计制造一体化）模式，即自建晶圆厂，将芯片设计、晶圆制造、封装测试全流程握在自己手中。

从成立到跻身全球第四，长鑫科技用了不到十年。

长鑫科技采取“跳代研发”的策略，目前已经完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代。

招股书显示，2023年至2025年，长鑫科技的营业收入分别为90.87亿元、241.78亿元和617.99亿元，归母净利润分别为亏损163.40亿元、亏损71.45亿元、盈利18.75亿元。

进入2026年，长鑫科技的盈利爬坡明显加快。

招股书显示，2026年第一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比增长1688.30%。

长鑫科技预计，2026年上半年营业收入为1100亿元至1200亿元，归母净利润为500亿元至570亿元，同比增长2244.03%至2544.19%。

长鑫科技一季度的归母净利润规模在科创板公司中排名第一，按上半年业绩预告测算，这一盈利规模预计将抹平长鑫科技成立以来的全部累计亏损。

业绩的爆发除了得益于公司产品力的提升，还有行业周期的变化。

长鑫科技在招股书中表示，2026年第一季度，受全球算力需求持续增长、全球主要厂商产能调配等因素影响，全球DRAM产品供不应求，价格自2025年下半年以来持续大幅上涨。

TrendForce集邦咨询研报表示，2026年二季度DRAM合约价环比涨幅约为58%至63%。

由于AI服务器带来的海量需求，三大原厂将其供给手机等消费级DRAM的产能战略性地腾挪给了HBM及企业级DRAM，这一举措一方面让下游消费电子厂商苦不堪言，一方面也给了长鑫科技迅速“上桌”的机会。

根据Omdia数据，2025年二季度，长鑫科技市场份额为3.97%，四季度已经到了7.67%，半年时间市场份额上升了近一倍。

王菁告诉财联社记者，长鑫科技渗透提升最快的领域是手机所用的LPDDR5和LPDDR5X，以及PC与服务器所用的DDR5。

一位头部国产模组厂人士向财联社记者表示，近年来公司正在逐步提高国产存储厂的供应比例。就与业内交流来看，目前在供应上，由于下游需求畅旺，长鑫的产能仍十分紧张，在性能上，手机中高端产品所需指标长鑫的产品已基本可以满足。

招股书显示，长鑫科技的终端客户已包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等。

值得一提的是，长鑫科技的崛起，也为一批国产配套带来机会。

财联社记者梳理发现，有多家A股厂商曾公开表示过与长鑫有合作关系，包括北方华创（002371.SZ）、拓荆科技（688072.SH）、艾森股份（688720.SH）、雅克科技（002409.SZ）、有研新材（600206.SH）、深科技（000021.SZ）等，覆盖设备、化学气体、封测等多个生产环节。

王菁向财联社记者表示，长鑫科技与本土材料、封测、设备企业的协同，已经起到了缩短供应链、压低采购成本、保障交期稳定的作用。

长鑫科技的“下一步”

可以看见，长鑫已经从0开始，成长为国际存储巨头不可忽视的公司。

在今日的网上路演中，长鑫科技董事长朱一明表示，未来，随着公司产线建设的稳步推进，公司整体产能将持续提升，预计将进一步提升在全球市场的竞争力。

“在产品矩阵方面，公司积极拓展产品组合以满足各类下游市场需要，已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局，并可提供内存DRAM晶圆、内存DRAM芯片、内存DRAM模组等多样化的产品方案，可以有效满足服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场需求；并正在积极布局计划推出更新代际产品，以持续满足未来新一代信息技术产业快速发展的需求。”

产能是一切发展的底座。

长鑫科技目前在合肥、北京运营三座12英寸晶圆厂。国金证券研报数据显示，长鑫2025年底月产能约28万-29万片。

本次IPO，长鑫科技拟使用募集资金295亿元，其中75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造，130亿元用于DRAM存储器技术升级，90亿元用于前瞻技术研究与开发。

三笔资金对应三个时间点：技改扩产解决当下的产能瓶颈，DRAM技术升级瞄准制程代际的追赶，前瞻研发则押注下一代存储技术路线。

半导体研究机构SemiAnalysis预测，到2026年底，长鑫的月产能将达到约 35 万片晶圆，略低于美光预计的38.5万片；2027年，随着上海一期的初步量产以及合肥、北京项目的全面量产，长鑫的月产能可能达到42万片左右，并于2028年底进一步提升至50万片，其全球DRAM产能份额也有望提升至17%左右。

长鑫科技已是国内存储行业的标杆企业，但作为“后起之秀”，也必须正视其目前存在的技术差距。

王菁指出，由于缺少EUV光刻机且受到美国设备出口管制，长鑫科技在技术节点上落后国际先进水平约两代，产品的单位容量成本比三大厂明显偏高，且难以突破HBM（高带宽内存，单价和利润远高于普通DRAM）良率。

技术追赶的下一站已经明确。

DRAM的存储密度提升长期依赖平面制程的微缩，当前工艺已逼近电容漏电和光刻精度的物理边界，行业公认的出路是仿照NAND闪存走过的路，从平面转向立体堆叠。NAND在十余年前完成了这场转身，如今堆叠层数已超过两百层，DRAM的3D化则刚刚起步。

有券商在电话会上指出，长鑫未来大概率将转向3D架构（类似HBM的晶圆键合技术），通过堆叠提升位元密度。这涉及高精度的混合键合（Hybrid Bonding）技术，对准精度要求极高（200纳米以下）。

对于市场最关心的周期风险，王菁认为，这个风险确实真实存在。

“长鑫在成本上较三大厂仍有劣势，尽管当前被内存价格周期掩盖，但若价格回落，这一问题还将重新显现，届时面对三大厂规模和成本优势打压，长鑫在利润率上难免承压。”

不过，随着AI对于存储市场逻辑的改写，业内并不完全只有悲观预期。

王菁向记者表示：“国产替代是刚需，出于地缘和供应安全考量，长鑫具备相对稳定的需求基本盘，同时长鑫与客户签署长协，将对其未来几年营收起到稳定作用。此外，三大厂的战略重心显著向HBM和高端企业级存储倾斜，重回消费级低毛利赛道的意愿存疑。长鑫仍在持续扩产，并积极升级制程，未来与三大厂的成本差距将进一步收窄，抗周期能力会增强。最为关键的是，AI带来的长期需求已经深刻地改变了存储市场供需，行业或许很难重现2022—2023年的超低价巨亏周期。”