①9月8日，阿斯麦宣布与台积电、三星、英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）EUV技术的应用； ②按照计划，台积电将于2030年将该技术用于先进制程量产，三星则将于2028年前将其用于DRAM量产； ③阿斯麦计划还升级下一代设备的掩模尺寸，预计2031年展示更大掩模试点线。
财联社9月8日讯（编辑 周子意）荷兰光刻机制造商阿斯麦（ASML）最新宣布，将与其主要客户合作，生产其最先进的光刻设备，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。
9月8日，阿斯麦接连发布三条公告称，宣布与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用。
其中，台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产；英特尔方面则表示，其目前已处理了超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。
对于此次合作，三星电子周二回应称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术的发展，以取代几十年来广泛使用的6英寸光掩模格式。
新一代EUV光刻机
阿斯麦生产的光刻工具，通过将光照射到包含芯片图案的掩模上，将芯片图案打印在硅晶圆上。
该公司广泛使用的EUV设备，单次爆光的面积约为800平方毫米，目前英伟达、谷歌等企业所设计的芯片均能达到这一极限。可作对比的是，12英寸芯片的直径为300毫米，有效作业面积通常在70000平方毫米左右。
阿斯麦即将推出的下一代High NA的EUV设备，能够打印更精细的芯片。但目前由于使用了更小的掩模，仍存在芯片爆光尺寸上限问题。
阿斯麦本周表示，计划升级至更大尺寸的掩模，使最新设备能够制造出与当前最大规模数据中心芯片相当的芯片。据了解，向新型High NA设备配备更大尺寸的掩模，将有助于推动这些设备在大规模生产中的更广泛应用。
阿斯麦还计划在2031年前展示配备更大掩模的试点生产线，并预计到2033年实现该新技术的量产能力。
ASML首席技术官Marco Pieters表示，“如果我们能成功实现这一目标，整个行业都将看到这些系统产能提升40%。”
值得一提的是，SK海力士最新在一份声明中表示，公司正在评估是否参与该联盟，以推进12英寸掩模的引入，并指出其目标是到2028年High-NA EUV工艺应用于DRAM的大规模生产。
