《科创板日报》10月13日讯（记者 陈俊清） 中微公司公告称，公司全资子公司中微临港拟以不超过3500万元向青禾晶元进行增资。认购青禾晶元新增注册资本9042元，占青禾晶元本轮融资后注册资本的比例为0.50%。

本轮投资方中微临港连同其他十七方投资方拟合计向青禾晶元增资2.5亿元，青禾晶元的注册资本由174.38万元增资至180.84万元。由于中微临港及中微公司关联方智微攀峰、智微厚德已经投资青禾晶元，同时中微公司董事长尹志尧担任青禾晶元现任董事，本次投资构成关联交易。

值得注意的是，本次增资并非中微公司首次投资青禾晶元，此前青禾晶元于2026年3月完成约5亿元战略融资由中微公司领投。公告显示，连同前期增资所取得的股权，本轮增资后中微临港合计持有青禾晶元注册资本比例为7.07%。

中微公司表示，增资款将主要用于“青禾晶元”混合键合设备、原子束设备等的研发、市场拓展及客户交付。

投资标的方面，据介绍，青禾晶元定位为先进半导体键合集成技术与方案提供商，核心业务以“高端键合装备制造+整线服务”为根基，产品主要包括晶圆键合设备、芯片键合设备和表面处理设备。技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域，致力于构建全产业链解决方案。

公开信息显示，青禾晶元已构建起覆盖4/6/8/12英寸的完整键合设备体系，主要包括三大系列。

一是SAB61系列超高真空常温键合设备，采用超高真空离子束轰击技术活化材料表面，无需加热或退火即可实现牢固化学键，支持 SiC、Ga₂O₃、金刚石等异质材料键合，无热应力、无界面氧化层，广泛应用于复合衬底、MEMS、高散热需求的异质集成等领域。

二是SAB62系列亲水性键合与混合键合设备，通过等离子体活化和旋涂清洗在晶圆表面富集羟基基团，实现室温下的键合，后续通过退火获得高强度介质键合和铜铜互连，主要应用于POI/SOI衬底、MEMS晶圆级封装、3D堆叠图像传感器等场景。

三是SAB82系列C2W混合键合设备，无需凸点即可实现铜对铜直接键合，支持小于10微米的高密度互联间距，支持KGD芯片筛选，可用于不同工艺节点、不同材质及结构的芯片集成，是Chiplet先进封装的核心装备之一。

此外，青禾晶元还提供表面处理设备、临时键合及解键合设备等产品，并能提供从材料到产线的Turnkey交钥匙解决方案，覆盖新建产线、产线升级、实验室及中试线等应用场景。

业绩方面，公告显示，2025年度，青禾晶元的营业收入为9373.32万元，净利润-1.82亿元；2026年1-7月，该公司实现营收近1.56亿元，净利润-1.13亿元。估值方面，公告显示，各方协商一致，将青禾晶元本轮增资的投前估值确定为67.50亿元。

关于本次交易影响，中微公司在公告中称，本次对外投资有助于公司进一步增强在半导体设备领域的产业布局并产生产业链协同效应。青禾晶元掌握晶圆键合及配套工艺核心技术。本次投资前中微临港已经是青禾晶元股东，公司持续看好青禾晶元的未来发展，追加投资将进一步增强公司与青禾晶元的战略协同关系。

关于本次交易进展，公告显示，本次对外投资协议尚未签署，最终青禾晶元股东构成、出资金额、出资方式 及出资比例等协议内容以各方实际签署的正式协议为准。

本次投资的背后，是全球先进封装产业快速发展带来的设备需求爆发。随着 AI算力需求持续攀升，芯片制程演进逼近物理极限，先进封装成为延续摩尔定律、提升芯片系统性能的核心路径。

根据市场研究机构Yole统计，2026年全球先进封装市场规模达到522亿美元，在整体封装市场中的占比首次突破54%。HBM 高带宽存储、Chiplet异构集成、3D堆叠等技术路线的快速渗透，直接带动了键合设备需求的高速增长。

东吴证券在近期研报中提到，先进封装追求高密度互联，热压键合、混合键合是未来趋势；当凸点间距继续缩小时，40-10μm主要依赖TCB，10μm以下高集成封装将全面转向混合键合。