①武汉天源拟投资5亿元建设高纯铟及磷化铟多晶生产基地,加码AI算力上游材料; ②项目达产后将形成年产200吨高纯铟及100吨磷化铟产能,但公司称暂无自有技术与人员储备,尚无在手订单; ③今年曾有其他上市公司因跨界投资磷化铟项目信息披露不准确、不完整、风险提示不充分被监管警示。
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财联社10月14日讯(记者 方彦博)上市公司向AI算力产业链最上游延伸的动作还在继续。
今日晚间,老牌环保能源企业武汉天源(301127.SZ)发布公告,经第六届董事会第三十三次会议审议,公司同意与楚雄高新区管委会签署合作协议,计划总投资约5亿元建设高纯铟及磷化铟多晶生产基地。
公告内容显示,该项目选址楚雄高新区云甸化工园区,规划用地面积约45亩,主要建设6N/7N级高纯铟、磷化铟多晶生产线及办公楼等附属配套设施,建设工期12个月,自取得施工许可证之日起计算,由公司新设全资子公司负责投资、建设与运营。项目达产后将形成6N/7N级高纯铟200吨/年、磷化铟多晶100吨/年的生产能力。
资料显示,武汉天源核心业务聚焦环境治理与绿色能源两大领域,是一家集技术研发、项目投资、工程建设、装备制造、运营服务于一体的综合性环保能源企业。
公司表示,本项目顺利建成并完全达产后,依托产业链协同优势,将有效丰富公司业务品类、拓宽营收渠道,对公司未来经营收入及长期发展具备一定积极影响。
事实上,武汉天源布局磷化铟赛道早有伏笔。公司8月末在半年报中披露,已于当月完成对中讯半导体(江苏)有限公司60%股权的收购,交易对价750万元,并配套投入6700万元用于后续产线建设与资金补充。据悉,中讯半导体主营磷化铟等化合物半导体衬底材料,目前已具备2至4英寸单晶衬底的生产技术条件。
需要说明的是,公司在公告中同步提示多重风险:本次投资涉及新领域、新业务、新技术、新产品,公司暂无高纯铟提纯及磷化铟多晶制备业务的自有技术和人员储备,暂不具备独立开展相关业务的技术基础,后续计划引进专业技术人才;相关生产业务尚处发展初期,整体规模较小,目前尚无在手订单,尚未形成稳定、可持续的收入及盈利来源,短期内不会对公司经营业绩构成重大影响。
高纯铟及磷化铟多晶是支撑5G/6G、AI算力、光通信等高端领域的关键半导体材料。随着AI算力需求激增,全球磷化铟衬底供需缺口显著,这一赛道也引来不少上市公司的垂青。
财联社记者注意到,今年6月,深耕化工领域的宿迁联盛(603065.SH)曾宣布跨界磷化铟衬底业务。彼时,该跨界投资公告因迎合市场热点、关键信息披露不充分引发监管关注。后经上交所发函问询并予以回复,公司因存在信息披露不准确、不完整、风险提示不充分等违规情形,被上交所予以监管警示。
