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第三代半导体
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第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
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2026-01-20 13:04 来自 第一财经
【格力电器车用碳化硅芯片将量产 董明珠称未来供广汽半数芯片】财联社1月20日电，格力电器总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹在大湾区化合物半导体生态应用大会上透露，格力电器碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后，今年光伏储能用、物流车用碳化硅芯片也将量产。格力电器董事长董明珠几天前接待广汽集团董事长冯兴亚时笑言，未来广汽的汽车芯片中一半由格力产品替代。 (第一财经)
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2026-01-19 08:50
【盘前题材挖掘】①我国科研团队攻克芯片散热世界难题，氮化镓功率器件有望站上风口。②AI对存储的需求推动SSD发展，高速SSD主控芯片或供应吃紧。③“国标”工作组成立，服务机器人领域迎来重磅催化。
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2026-01-19 07:51 来自 财联社
我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
①西安电子科技大学郝跃院士张进成教授团队通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。
②第一创业证券郭强指出，考虑AI芯片升级则需要的功耗会更高，因此将带来功率器件需求的快速增长。
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2026-01-17 21:33
【西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%】财联社1月17日电，据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来，一直未能彻底解决，成为制约射频芯片功率提升的最大瓶颈。工艺的突破直接转化为器件性能的惊人提升。基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%到40%，是近二十年来该领域最大的一次突破。这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更远的信号覆盖和更低的能耗。更深远的影响在于，它为推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能力。
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2026-01-14 08:32
【Wolfspeed制造出单晶300mm碳化硅晶圆】财联社1月14日电，Wolfspeed, Inc.当地时间1月13日宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆。该公司的300mm平台将统一用于功率电子器件的高批量碳化硅制造与用于光学和射频系统的高纯度半绝缘衬底的先进能力。
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2026-01-08 17:11
【广州：大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造】财联社1月8日电，广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年），大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
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2026-01-08 17:11
【广州：加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产】财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
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2026-01-07 15:10
【商务部决定对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查 产品主要用于生产逻辑芯片、存储芯片等】财联社1月7日电，商务部7日发布公告称，对原产于日本的进口二氯二氢硅进行反倾销立案调查，本次调查确定的倾销调查期为2024年7月1日至2025年6月30日，产业损害调查期为2022年1月1日至2025年6月30日。本次调查自2026年1月7日起开始，通常应在2027年1月7日前结束调查，特殊情况下可延长6个月。

被调查产品名称：二氯二氢硅，又称二氯硅烷、二氯甲硅烷等。主要用途：二氯二氢硅主要用于芯片制造过程中的薄膜沉积（如外延膜、碳化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜和多晶硅膜等），用于生产逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片和其他类芯片，也可用于合成硅基系列前驱体和聚硅氮烷等。
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2026-01-07 08:00 来自 科创板日报记者 吴旭光
二度闯关科创板、拟募资10.5亿元 中图科技成色几何？
①从收入结构看，报告期内公司营收及利润主要来自PSS、MMS等主营业务，其中，PSS是核心收入支柱，2022年至2025年上半年贡献收入占比均超61%；
②目前，公司PSS平均单价已从2022年的71.26元/片降至2025年6月的52.79元/片，降幅达25.92%。
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2025-12-27 12:35
【中信证券：氮化镓器件快速发展助推机器人产业落地】财联社12月27日电，中信证券研报表示，氮化镓（GaN）技术正成为驱动下一代机器人性能革命的关键使能力量。其“高频、高效、高功率密度”的物理特性能直接解决机器人关节“轻量化、高响应、高能效”的三大核心诉求，具体表现为：采用GaN方案的伺服驱动器可实现体积缩减约50%、损耗降低50%—70%，从而为机器人带来更紧凑的关节设计、更长的续航时间与更敏捷的运动控制。建议关注国内头部的可以帮助海外特斯拉厂商逐步降本的核心供应厂商。
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2025-12-24 11:25
【晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】财联社12月24日电，晶盛机电近日在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产，其独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术，同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，大幅提升颗粒控制能力和维护效率。
晶盛机电+1.03%
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2025-12-19 15:37
【安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件】财联社12月19日电，据安森美官微19日消息，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。
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2025-12-11 08:12
【丰田将在其车载充电系统采用Wolfspeed碳化硅器件】财联社12月11日电，Wolfspeed公司当地时间12月9日宣布与丰田公司达成合作，丰田公司将在其车载充电系统采用Wolfspeed车规级MOSFET，Wolfspeed碳化硅器件将被集成到丰田公司的纯电动汽车中。
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2025-12-11 07:15
【江苏“十五五”规划建议：推动量子科技、脑机接口、具身智能等一批前沿性未来产业形成现实生产力】财联社12月11日电，中共江苏省委关于制定江苏省国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议发布，其中提到，培育壮大未来产业。探索多元技术路线、典型应用场景、可行商业模式、市场监管规则，加快壮大第三代半导体、氢能、生物制造等成长型未来产业，推动量子科技、脑机接口、具身智能、深海深地、原子级制造、第六代移动通信等一批前沿性未来产业形成现实生产力。创新监管方式，发展创业投资，建立健全未来产业投入增长和风险分担机制。支持有条件的地方争创国家级未来产业先导区。
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2025-12-05 08:12
【盘前题材挖掘】①北京将建全球首个国家人形机器人赛训基地，人形机器人产业化持续加速。②一年可为超大型AI算力中心省3亿度电，第三代半导体有望迎来需求爆发。③全球AI算力爆发带动燃气轮机需求激增，国内企业有望受益于外溢需求。
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2025-12-05 07:43 来自 财联社
一年可为超大型AI算力中心省3亿度电 第三代半导体有望迎来需求爆发
①氮化镓是第三代半导体材料。若把硅基氮化镓芯片装入电源模块中，替代传统电源模块芯片使用的硅材料，可实现用电损耗降低30%。
②华创证券表示，传统硅基材料已接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。
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2025-12-04 11:16
【九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果 一年可为超大型AI算力中心省3亿度电】《科创板日报》4日讯，九峰山实验室发布氮化镓电源模块最新成果。100万个该模块装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。
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2025-11-19 13:56
【英诺赛科胜诉 两项核心GaN专利获国家知识产权局维持有效】财联社11月19日电，根据中国国家知识产权局最新审查决定，全球氮化镓龙头英诺赛科（Innoscience）今日正式获得关于其两项核心氮化镓（GaN）专利有效性的胜利结果，该决定明确维持英诺赛科专利权利要求全面有效，驳回了英飞凌（Infineon）提出的无效请求。英飞凌在此案上彻底败诉。据悉，英诺赛科已于今年早些时候对英飞凌发起了基于该两项专利的专利侵权诉讼。
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2025-11-17 17:52
【半导体龙头烁科晶体增资 国家军民融合产业投资基金、建信投资等斥资8亿入股】财联社11月17日电，财联社记者11月17日自北京产权交易所获悉，山西烁科晶体有限公司增资项目成交，增资方为国家军民融合产业投资基金二期有限责任公司、国调二期协同发展基金股份有限公司、建信金融资产投资有限公司，投资金额分别为5亿元、2亿元和1亿元。烁科晶体成立于2018年10月，是国内从事第三代半导体材料碳化硅生产和研发的领军企业。（记者 赵毅波）
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2025-11-12 08:30
【SK keyfoundry计划明年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务】财联社11月12日电，韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，正加速开发碳化硅（SiC）化合物功率半导体技术。该公司近期已完成对碳化硅领域关键企业SK powertech的收购。SK keyfoundry表示，正加速推进技术开发，目标在2025年底前推出碳化硅MOSFET 1200V工艺技术，并于2026年上半年启动碳化硅功率半导体代工业务。
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