关于我们网站声明联系方式用户反馈网站地图帮助

首页

电报

话题

盯盘

VIP

FM

投研

下载

我的关注

第三代半导体
1.64W关注
第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。
+ 关注
全部内容
2026-03-12 11:58
【格力电器：碳化硅功率芯片首秀AWE 2026，自研EAI、MCU等芯片累计出货已达2亿颗】财联社3月12日电，财联社记者获悉，格力电器碳化硅功率芯片首次亮相AWE，产品矩阵涵盖碳化硅SBD晶圆及器件、碳化硅 MOSFET晶圆及器件等。格力电器方面表示，目前公司正在推进碳化硅JFET，沟槽MOSFET，超结MOSFET等新一代先进SiC器件研发。格力自研的EAI芯片内置先进人工智能算法，实现低功耗、高效率智能控制。截至目前，该芯片已在空调、HMI智慧显示等领域累计出货近千万颗，其中，动态节能技术在空调领域可做到每年省电23%；格力工业级32位通用型MCU芯片累计出货近2亿颗。（财联社记者 陆婷婷）
收藏
阅274.12W
评论(0)
2026-03-11 17:26
【AWE2026前瞻：多款机器人、AI眼镜新品国内首展】财联社3月11日电，AWE2026启幕在即，财联社记者从AWE主办方及多家品牌商方面获悉，具身智能、AI眼镜等品类密集登场，共同构成本届展会核心看点矩阵。科沃斯首款具身智能产品，石头科技全球首款双轮腿架构、可扫楼梯的爬楼扫地机器人 G-Rover 均系国内首次亮相；格力电器将首展高精度协作智能机器人，碳化硅芯片和超级工厂也将首次亮相AWE；TCL旗下雷鸟创新首发AR智慧生活服务，扫街榜正式登陆智能眼镜；阿里旗下千问 AI 眼镜将首次开放国内线下展陈与体验；韶音科技 OpenVision 与 OpenGuide 两款全新 AI 眼镜概念产品国内首展，开放式滤噪新物种OpenFit Pro国内首次亮相；BleeqUp携超影擎 AI 运动拍摄眼镜首次亮相；海尔智家全球首套 L4 级智能体家电 Seeker 套系将完成线下首展；特斯拉则展示特斯拉人形机器人（Tesla Bot）；追觅科技方面，上百项全球首发的全新品类与首创技术亮相，覆盖日常出行、居家生活，到户外体验、地面出行乃至天空宇宙等多个领域。（财联社记者 王碧微 陆婷婷）
收藏
阅261.73W
评论(1)
2026-03-10 17:55
【广东：重点推动碳化硅、氮化镓等材料规模化制备与应用】财联社3月10日电，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快培育发展新赛道引领现代化产业体系建设行动规划（2026—2035年）》。其中提出，重点推动碳化硅、氮化镓等材料规模化制备与应用，开展氧化镓、氮化铝、金刚石等材料及制备技术工艺攻关，推进FD-SOI等特色制造工艺及异质异构集成、光电混合集成等先进封装技术与工艺研发和规模化应用。
收藏
阅274.49W
评论(0)
2026-02-25 11:37 来自 大湾区之声
【陈茂波：香港微电子研发院的第三代半导体芯片技术研发与试产的中试线年内投入运作】财联社2月25日电，香港特区政府财政司司长陈茂波今日（25日）在立法会发表2026至2027财政年度政府财政预算案。他表示，香港微电子研发院的第三代半导体芯片技术研发与试产的中试线，年内将投入运作，可促进本地芯片研发和产业升级。此外，“新型工业加速计划”已支持两间发展半导体芯片技术及设备的企业，总投资超过十五亿港元。 ( 大湾区之声)
收藏
阅272.67W
评论(0)
2026-02-22 19:02
【露笑科技：合肥露笑首次制备出12英寸碳化硅单晶样品】财联社2月22日电，露笑科技旗下合肥露笑半导体材料有限公司近日在半绝缘型碳化硅领域取得关键性进展，首次制备出12英寸碳化硅单晶样品，完成从长晶到衬底全流程工艺开发测试，这标志着合肥露笑构建“导电+半绝缘”全品类产品矩阵的技术突破，预示着在大尺寸赛道上形成决胜未来的关键力量。
收藏
阅327.86W
评论(3)
2026-02-09 09:50
财联社2月9日电，上海市经济信息化委公布《上海市中试平台储备名单（第一批）》。
收藏
阅274.77W
评论(0)
2026-02-06 18:55
【第三代半导体厂商长飞先进完成超10亿元A+轮融资】《科创板日报》6日讯，今日，长飞先进宣布正式完成超10亿元A+轮股权融资，本轮融资由江城基金、长江产业集团领投，光谷金控、奇瑞旗下芯车智联基金等机构参投，融资资金将主要用于碳化硅功率半导体全产业链技术布局，加速抢占新兴领域全球市场。（记者 余诗琪）
收藏
阅364.03W
评论(0)
2026-02-03 16:16 来自 科创板日报 郑远方
40年最强暴风雪！日本半导体重镇遭侵袭 或波及两大产业链环节
①当地政府以将青森打造成日本半导体产业的“北方引擎”为目标。
②青森是MJC的生产重地，作为存储探针卡龙头，在该细分领域全球市占率高达四成。
③青森也是富士电机津轻半导体的功率半导体重要生产地，其在当地生产碳化硅零部件。
收藏
阅62.05W
评论(4)
2026-01-20 13:04 来自 第一财经
【格力电器车用碳化硅芯片将量产 董明珠称未来供广汽半数芯片】财联社1月20日电，格力电器总裁助理、珠海格力电子元器件有限公司总经理冯尹在大湾区化合物半导体生态应用大会上透露，格力电器碳化硅芯片工厂在量产家电用碳化硅芯片后，今年光伏储能用、物流车用碳化硅芯片也将量产。格力电器董事长董明珠几天前接待广汽集团董事长冯兴亚时笑言，未来广汽的汽车芯片中一半由格力产品替代。 (第一财经)
收藏
阅240.35W
评论(1)
2026-01-19 08:50
【盘前题材挖掘】①我国科研团队攻克芯片散热世界难题，氮化镓功率器件有望站上风口。②AI对存储的需求推动SSD发展，高速SSD主控芯片或供应吃紧。③“国标”工作组成立，服务机器人领域迎来重磅催化。
收藏
阅254.48W
评论(1)
2026-01-19 07:51 来自 财联社
我国科研团队攻克芯片散热世界难题 氮化镓功率器件有望站上风口
①西安电子科技大学郝跃院士张进成教授团队通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。
②第一创业证券郭强指出，考虑AI芯片升级则需要的功耗会更高，因此将带来功率器件需求的快速增长。
收藏
阅61.01W
评论(2)
2026-01-17 21:33
【西电团队攻克芯片散热世界难题：氮化镓射频芯片性能提升30%到40%】财联社1月17日电，据西安电子科技大学官方消息，近日，郝跃院士张进成教授团队的最新研究在这一核心难题上实现了历史性跨越——他们通过将材料间的“岛状”连接转化为原子级平整的“薄膜”，使芯片的散热效率与综合性能获得了飞跃性提升。这个问题自2014年相关成核技术获得诺贝尔奖以来，一直未能彻底解决，成为制约射频芯片功率提升的最大瓶颈。工艺的突破直接转化为器件性能的惊人提升。基于这项创新的氮化铝薄膜技术，研究团队制备出的氮化镓微波功率器件，在X波段和Ka波段分别实现了42 W/mm和20 W/mm的输出功率密度。这一数据将国际同类器件的性能纪录提升了30%到40%，是近二十年来该领域最大的一次突破。这意味着，在芯片面积不变的情况下，装备探测距离可以显著增加；对于通信基站而言，则能实现更远的信号覆盖和更低的能耗。更深远的影响在于，它为推动5G/6G通信、卫星互联网等未来产业的发展，储备了关键的核心器件能力。
收藏
阅320.75W
评论(10)
2026-01-14 08:32
【Wolfspeed制造出单晶300mm碳化硅晶圆】财联社1月14日电，Wolfspeed, Inc.当地时间1月13日宣布制造出单晶300mm（12英寸）碳化硅晶圆。该公司的300mm平台将统一用于功率电子器件的高批量碳化硅制造与用于光学和射频系统的高纯度半绝缘衬底的先进能力。
收藏
阅273.82W
评论(0)
2026-01-08 17:11
【广州：大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造】财联社1月8日电，广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年），大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
收藏
阅249.86W
评论(0)
2026-01-08 17:11
【广州：加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产】财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
收藏
阅260.24W
评论(1)
2026-01-07 15:10
【商务部决定对原产于日本的进口二氯二氢硅发起反倾销立案调查 产品主要用于生产逻辑芯片、存储芯片等】财联社1月7日电，商务部7日发布公告称，对原产于日本的进口二氯二氢硅进行反倾销立案调查，本次调查确定的倾销调查期为2024年7月1日至2025年6月30日，产业损害调查期为2022年1月1日至2025年6月30日。本次调查自2026年1月7日起开始，通常应在2027年1月7日前结束调查，特殊情况下可延长6个月。

被调查产品名称：二氯二氢硅，又称二氯硅烷、二氯甲硅烷等。主要用途：二氯二氢硅主要用于芯片制造过程中的薄膜沉积（如外延膜、碳化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜和多晶硅膜等），用于生产逻辑芯片、存储芯片、模拟芯片和其他类芯片，也可用于合成硅基系列前驱体和聚硅氮烷等。
收藏
阅281.29W
评论(1)
2026-01-07 08:00 来自 科创板日报记者 吴旭光
二度闯关科创板、拟募资10.5亿元 中图科技成色几何？
①从收入结构看，报告期内公司营收及利润主要来自PSS、MMS等主营业务，其中，PSS是核心收入支柱，2022年至2025年上半年贡献收入占比均超61%；
②目前，公司PSS平均单价已从2022年的71.26元/片降至2025年6月的52.79元/片，降幅达25.92%。
收藏
阅89.37W
评论(0)
2025-12-27 12:35
【中信证券：氮化镓器件快速发展助推机器人产业落地】财联社12月27日电，中信证券研报表示，氮化镓（GaN）技术正成为驱动下一代机器人性能革命的关键使能力量。其“高频、高效、高功率密度”的物理特性能直接解决机器人关节“轻量化、高响应、高能效”的三大核心诉求，具体表现为：采用GaN方案的伺服驱动器可实现体积缩减约50%、损耗降低50%—70%，从而为机器人带来更紧凑的关节设计、更长的续航时间与更敏捷的运动控制。建议关注国内头部的可以帮助海外特斯拉厂商逐步降本的核心供应厂商。
收藏
阅321.94W
评论(1)
2025-12-24 11:25
【晶盛机电12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付】财联社12月24日电，晶盛机电近日在碳化硅（SiC）核心装备领域取得重大突破，12英寸单片式碳化硅外延生长设备顺利交付全球头部SiC外延晶片生产商瀚天天成。此次研发的12英寸单片式SiC外延设备可兼容8、12英寸SiC外延生产，其独创的垂直分流进气方案，实现了晶圆表面温度高精度闭环控制、工艺气体精确分区控制等技术，同时设备配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，大幅提升颗粒控制能力和维护效率。
晶盛机电+0.23%
收藏
阅290.34W
评论(2)
2025-12-19 15:37
【安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件】财联社12月19日电，据安森美官微19日消息，安森美与格罗方德12月19日达成全新合作协议，共同研发并制造下一代氮化镓功率器件，合作将从650V器件开始。据介绍，安森美该系列产品将结合格罗方德200毫米增强型硅基氮化镓工艺，以及自身行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，为AI数据中心、汽车、工业、航空航天等应用场景，提供更小、更高能效的优化系统解决方案。
收藏
阅299.9W
评论(0)
加载更多
热门话题推荐arrow
关于我们|网站声明|联系方式|用户反馈|网站地图|友情链接|举报电话：021-54679377转617举报邮箱：editor@cls.cn财联社举报
财联社 ©2018-2026上海界面财联社科技股份有限公司 版权所有沪ICP备14040942号-9沪公网安备31010402006047号互联网新闻信息服务许可证：31120170007沪金信备 [2021] 2号