//电报内容
【中科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展】《科创板日报》13日讯,据中科大发布,在世界顶级的半导体和电子器件技术论坛IEEE IEDM上,中科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)成功被大会接收,这也是中科大首次以第一作者单位在IEEE IEDM上发表论文。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度,确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场,从而有效提高器件的耐压能力。
//解读摘要
新型半导体研究获重要进展,理论损耗仅为碳化硅1/6,未来全球市场规模或近100亿,这家企业可定制生产相关材料产品,另一企业子公司致力于相关产品研发。