《科创板日报》20日讯，SK海力士20日宣布，已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，容量较上一代HBM3 DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在上半年内完成量产准备，以“加强尖端DRAM市场主导权”。