《科创板日报》4日讯，初创公司NEO Semiconductor表示，其3D X-DRAM技术可以生产230层的128Gbit DRAM芯片——是当前DRAM密度的八倍。NEO专注于半导体存储器并开发了X-NAND技术，NAND芯片具有多个平行平面以加速数据访问——第一代顺序写入带宽为1,600MBps，第二代为3,200MBps。NEO表示，3D X-DRAM是解决由下一波AI应用（例如ChatGPT）驱动的对高性能和大容量存储器半导体的需求增长所必需的。 （PR Newswire）