//电报内容
【摩根士丹利:DRAM将迎供需失衡“超级周期” 明年标准型DRAM供应缺口高达23%】《科创板日报》12日讯,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。
//解读摘要
供应缺口高达23%!这一细分领域将迎供需失衡“超级周期”,这家公司现已覆盖国内80%的8寸以上集成电路客户,另一家的产品主要应用在半导体集成电路存储、逻辑芯片制造的薄膜沉积工艺中。