2024年10月29日 15:16:02消息称三星下代400+层V-NAND2026年推出
《科创板日报》29日讯，三星电子将于2026年推出的下代V-NAND 堆叠层数超过400，预计于2027年推出的0a nm DRAM则将采用VCT结构。报道表示三星第10代（即下代） V-NAND将被命名为BV（Bonding Vertical） NAND，这是因为这代产品将调整NAND结构，从目前的CoP外围上单元改为分别制造存储单元和外围电路后垂直键合。 （韩国经济日报）
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