《科创板日报》28日讯，存储器厂南亚科预期，常规DRAM市场可能在上半年开始复苏。南亚科董事长吴嘉昭指出，服务器整体出货可望持续成长，将带动高带宽记忆体（HBM）与高容量DDR5模组出货增长。南亚科预计今年完成16Gb DDR5微缩版及16Gb LPDDR4验证，另外8Gb及16Gb LPDDR5产品也将导入试产。使用10纳米3世代制程技术的先导产品将于2025年下半年进入试产，使用10奈米第4世代制程技术的先导产品将于2026年第一季导入试产。 (台湾工商时报)