【电报解读】存储三巨头押注DRAM新技术,或打开两类接口芯片空间,机构称随着英特尔第六代CPU、MRDIMM技术持续渗透,有望拉动MRCD和MDB的需求量,这家公司的相关产品主要用于数据中心和服务器
电报解读
2026.05.06 17:35 星期三
//电报内容
【存储三巨头押注DRAM新技术 或打开两类接口芯片空间】财联社5月6日电,服务器DRAM模块的最新一代标准“MRDIMM”据悉已经进入最后开发阶段,联合电子设备工程委员会(JEDEC)的成员包括三星电子、SK海力士和美光等主要存储器公司,正在积极开发MRDIMM产品,以满足未来不断增长的需求。有别于HBM与GPU集成,MRDIMM将用作CPU直接访问的主内存。作为新一代服务器DRAM模块,其专为人工智能和高性能计算(HPC)任务而优化, 能够同时运行两个内存通道,因此可提供更快的数据处理速度。

资料显示,相较于标准DDR5 RDIMM,第一子代MRDIMM可达到8800MT/s的数据传输速率,峰值带宽提高近40%,缓解了现代处理器核心数量提升带来的每核心内存带宽下降问题。
//解读摘要

4月27日22:26《电报解读》发文覆盖“国产算力”方向,梳理指出:DeepSeek V4的核心意义在于以更低成本支持更复杂的智能体应用落地,从而打开AI应用规模化的新空间。从国产算力适配维度看,其技术架构实现极致降本,其中国产算力首次参与训练侧适配实现里程碑突破。本文提及海光信息,其4日最高涨22.59%。

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