《科创板日报》6月11日讯（记者 郭辉） 特色工艺芯片制造龙头芯联集成宣布投建新项目，以实现扩产与拓展光互连制造能力。

芯联集成今日（6月11日）晚间发布公告称，公司拟与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会（下称“杭绍临空”）等相关方，合资建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线。

该项目作为芯联集成的四期项目，计划总投资约200亿元。芯联先进将作为芯联集成12英寸车规级数模混合芯片制造项目的实施主体。

资金来源方面，芯联集成拟出资30.12亿元，持股25.1%；杭绍临空及其他联合投资主体拟出资30亿元，其他市场化资金拟出资59.88亿元；银行贷款80亿元。

芯联集成方面表示，四期项目的启动，标志着该公司在巩固新能源汽车和工业控制两大核心优势市场的基础上，正系统性延伸至AI服务器电源和光互联两大高增长赛道，形成"核心主业稳基、新兴赛道拓边"的双轮驱动格局。

公告显示，四期项目主要聚焦五大工艺平台。

其中55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台，将覆盖智能汽车、工业自动化、AIoT三大应用领域。AI端侧DSP布局是公司向 AI应用延伸的重要一步，以为边缘智能提供算力支撑。

90nm数模混合芯片平台，则将聚焦国内稀缺的高性能、高功率、高可靠性BCD技术方向，面向新能源汽车、工业控制、高端消费电子三大核心领域。

55nm AI服务器高频电源管理芯片制造平台，主要面向AI服务器电源系统，为CPU/GPU提供高功率密度供电方案。芯联集成也将进一步扩产高端电源管理芯片产能，以应对全球AI算力爆发带来的市场需求。

值得关注的是55nm硅光芯片平台，该工艺将面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。据介绍，在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90nm硅光技术的基础上，芯联四期将会继续建设和扩大55nm硅光芯片产能，深入布局光互联技术。

此外，面向光引擎的55nm SiGe 跨阻放大器和激光驱动芯片平台，则覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片。芯联集成方面表示，该平台可与55nm硅光平台形成 “硅光+配套电芯片”协同，为客户提供从光接收到光发射的完整光引擎代工方案。

芯联集成表示，芯联先进“芯联12英寸车规级数模混合芯片制造项目”的建设和运营，有利于充分发挥公司打造覆盖设计服务、晶圆制造、模组封装、应用验证、可靠性测试环节的一站式系统代工服务体系的综合能力，符合公司长期发展战略规划；有利于加快完善公司在高端模拟集成电路芯片领域的战略布局，增强核心竞争力；有利于抓住当前AI算力服务器、新能源汽车、机器人、光互联等新兴产业的发展契机，推动公司主营业务持续成长。

本次投资事项完成后，芯联集成对芯联先进的持股比例将由100%降低至25.1%。

关于四期新项目是否并表的问题，芯联集成公告中称，将结合未来交易完成后的持股占比、标的公司治理决策机制、董事会席位分配、新增投资方背景等因素综合考虑，初步认定公司不再将芯联先进纳入合并报表范围，对芯联先进的长期股权投资改为按权益法核算。

芯联集成方面6月11日同步公告，拟对芯联先进转让并同步授权实施与之配套的专利及非专利型专有技术，转让及授权对价预计为12.11亿元。

据介绍，芯联集成在四期项目正式启动前，先行投入了研发资源并形成了相应的研发成果，以加快关键技术验证与客户产品导入进程，为芯联先进独立运营提供完整的专利权利依据支撑，保障项目平稳过渡与持续创新。鉴于芯联先进现已具备独立承接该项目的能力与条件，芯联集成及其子公司拟向芯联先进转让并同步授权实施与之配套的专利及非专利型专有技术，提升资源配置效率。

据了解，2025年芯联集成产能布局初步完成，整体产销率逼近100%，全年销售量同比增长28.60%。

在一期、二期、三期项目达产的基础上，未来随着四期项目的投产，芯联集成整体晶圆制造产能将超过40万片/月产能（折合8英寸）。

芯联集成目标2026年实现盈亏平衡。在今年4月举行的业绩说明会上表示，该公司未能盈利系目前仍处于产能建设期和爬坡期，前期固定资产投入大，折旧摊销费用较高；同时公司保持高强度研发投入。

芯联集成2026年一季度归母净利润亏损收窄，一季度收入同比增长13.19%。芯联集成表示，未来公司将紧抓产业国产化窗口期，持续聚焦扩大一站式系统代工模式优势，推出国内稀缺的工艺技术平台。“