财联社9月1日讯（编辑 夏军雄）随着全球半导体产业在人工智能（AI）浪潮驱动下持续演进，存储芯片市场的结构性分化与价格韧性正成为资本市场关注的焦点。

高盛9月1日发布最新存储价格跟踪报告称，2026年三季度DRAM与NAND的平均售价走势与此前预期基本吻合，存储芯片整体仍处于景气上升通道，因此继续给予韩国存储双雄——三星电子和SK海力士——“买入”评级。

本轮存储涨价已经呈现明显的结构性特征：PC和服务器DRAM继续保持较强价格动能，手机存储需求则受到库存上升拖累。但供应商持续将有限产能优先配置给服务器DRAM和高带宽内存（HBM），正在限制传统存储供应增长，这也成为支撑2027年价格的重要因素。

PC DRAM涨幅超预期

PC DRAM是此次报告中表现最强的细分领域之一。

8月，DDR4 8GB PC内存模组合约价格由139美元升至142美元，环比上涨2%；DDR5 8GB价格则由130美元升至133美元，同样上涨2%。由于二者涨幅一致，DDR5相对于DDR4仍维持约6%的价格折价，与7月基本相同。

在此背景下，研究机构TrendForce将三季度PC DRAM价格涨幅预期由15%—20%进一步上调至18%—23%，已经略高于高盛此前对三星电子和SK海力士平均PC DRAM售价环比上涨17%的预测。

DRAM属于典型的周期性半导体产品，价格高度受到厂商产能、客户库存以及终端需求变化影响。在经历前期供给调整之后，一旦厂商扩产保持克制，而需求逐步恢复，价格往往具有较强的向上弹性。

报告中的现货市场数据也显示出价格仍处于偏强状态。目前DDR5 16Gb现货价格较最新合约价格高出约16%，DDR4 8Gb现货价格的溢价更达到43%。

（DDR5 16Gb现货价格自2025年下半年以来快速攀升，目前较最新合约价格溢价约16%，反映现货市场供需仍然偏紧）

较高的现货溢价意味着短期市场价格明显高于此前签订的合约价格，不过其能否完全传导至后续合约价，仍取决于实际供需和客户采购情况。

AI需求支撑服务器DRAM

相比PC市场，服务器DRAM价格走势同样保持强势，并与高盛此前预期基本一致。

8月，DDR4 64GB服务器内存模组价格维持在1295美元不变，而DDR5 64GB模组价格环比上涨1%至1500美元。这使得DDR5相对DDR4的价格溢价由7月的15%进一步扩大至16%。

TrendForce继续预计，三季度服务器DRAM价格将环比上涨13%—18%，基本符合高盛对三星电子和SK海力士服务器DRAM平均售价环比上涨18%的判断。

服务器存储也是当前存储行业供需结构发生变化的重要一环。AI数据中心不仅推动HBM需求快速增长，也提高了服务器端对传统DRAM容量和性能的要求。更重要的是，HBM和先进服务器DRAM会占用存储厂商的晶圆产能和生产资源。

因此，即便部分消费电子需求出现波动，只要三星、SK海力士等厂商继续优先满足服务器DRAM和HBM需求，传统PC及移动DRAM的供给扩张空间便可能受到限制。此次报告也将这种产能配置变化视为未来存储价格的重要支撑。

手机内存涨价明显降温，但供给约束仍在

与PC和服务器市场相比，移动DRAM正在出现明显降温。

TrendForce预计，2026年三季度移动DRAM价格环比上涨8%—13%，远低于二季度高达70%—83%的涨幅，也略低于高盛此前预计的三星和SK海力士平均售价上涨14%。

涨价速度放缓的主要原因并非供应大幅增加，而是客户库存水平升高，导致短期采购动能减弱。

TrendForce预计，四季度移动DRAM环比涨幅还将进一步下降至0%—5%。不过，其对2027年的价格走势仍保持积极判断，核心原因正是存储供应商预计继续优先将产能配置给服务器DRAM和HBM。

这意味着当前移动DRAM正在呈现“需求降温、供给仍受约束”的结构。

NAND同步涨价

报告显示，三季度eMMC/UFS 256GB移动NAND合约价格环比上涨约20%，与高盛此前预计整体NAND价格环比上涨15%—20%基本一致。

虽然报告对NAND着墨相对有限，但DRAM和NAND同步维持较高涨幅，意味着主要存储厂商的产品价格环境仍然较为有利。

高盛维持三星、SK海力士“买入”

基于当前存储价格走势，高盛继续维持对两家韩国存储龙头的积极评级。

三星电子普通股12个月目标价为49万韩元，优先股目标价为36万韩元，两者均维持“买入”评级。

SK海力士12个月目标价为350万韩元，对应高盛采用的2026—2027年平均盈利9倍目标市盈率。

不过，高盛同时提示，存储供需环境明显恶化仍是两家公司的核心风险。

三星还面临智能手机利润率收缩和移动OLED市场份额下降风险；SK海力士则需关注PC、手机和服务器需求转弱、三星HBM业务进展，以及AI资本开支下降可能带来的HBM需求压力。