《科创板日报》1日讯，三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。针对大语言模型（LLM）所需的大容量存储器需求，三星还在推进zNAND-O的开发。zNAND-O的目标是在比特密度达到DRAM 10倍的同时，将读取带宽和能效分别提升至NAND的7倍。三星计划于2028年开始zNAND-O的样品供应。 （ETNews）