《科创板日报》10月7日讯 据台湾经济日报7日报道，中国台湾存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再度上调DRAM合约价格，最高涨幅可达20%。

针对再度涨价的市场传闻，南亚科方面表示，针对客户报价相关事宜，不予置评。业内人士认为，随着南亚科启动新一轮合约价上调，涨价效应将逐步传导落地，有望抬升公司平均售价（ASP），改善盈利水平，推动整体经营持续向好。

受益于存储行业高景气，南亚科今年业绩持续走高。9月合并营收450.91亿新台币，连续11个月刷新单月历史新高，规模达到1月业绩的近三倍，同比大增576.62%；第三季度合并营收1336.49亿新台币，创下单季历史新高，环比增长61.9%，同比增幅611.7%；前三季度合并营收2652.85亿新台币，创同期历史新高，同比大涨626.95%。

与此同时，南亚科也在持续加码产业布局，该公司已获批进驻屏东科学园区，计划建设3D晶圆封测工厂，导入硅穿孔、晶圆堆叠相关技术，抢抓AI驱动的高性能、高带宽存储市场机遇。

据了解，南亚科新增晶圆产能将交由5A新厂承接，规划2027年下半年正式投片；2028年月产能达到3万片，2029年月产能进一步提升至3.59万片。公司已经将本年度资本支出上限上调至697亿新台币，并批准2026‑2029年最高3466亿新台币资本开支，用于一期产能建设。

西南证券表示，AI算力建设浪潮带动服务器DRAM需求端爆发式增长，供给端新产能扩产周期较长，HBM及高容量服务器产品占用晶圆资源，行业供给弹性有限。需求爆发叠加供给刚性，存储价格端持续上行，DRAM迎来超级成长周期。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第四季，DRAM原厂持续将先进制程投入生产服务器应用的高性能产品，整体维持供不应求格局，预计普通DRAM合约价环比上涨10%‑15%；消费级DRAM方面，大厂减产策略维持不变，供给高度依赖中国台湾厂商，价格将延续上行，供需紧张局面仍将持续。

三大DRAM巨头近期的业务态势，均折射出行业强劲的景气度。

三星电子正加速建设其位于平泽第五园区（P5）的首条量产生产线（Ph1）。P5是三星电子在韩国本土投建的下一代大型晶圆厂，瞄准AI存储需求，目标2028年投产。该项目分两期推进，一期Ph1规划生产DRAM与HBM高带宽内存；二期Ph2尚在研讨中，有望建设为第十代NAND闪存产线。

SK海力士正扩大存储半导体倒装芯片封装外包规模，计划将部分DDR4、DDR5 DRAM内存芯片封装订单交由Winpac承接，Winpac已在P围区封装工厂完成设备调试等产线投产准备，现已进入量产阶段。该围区负责DRAM、NAND闪存、eUFS嵌入式通用闪存等高性能产品封装，月产能已由4400万颗提升至5000万颗。

美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra日前在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”