①结合当前的宏观与产业环境,长鑫科技进一步指出, 公司对DRAM行业长期发展保持充足信心; ②在谈及未来的战略布局与核心竞争力时,长鑫科技管理层重点强调,公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”,以创新工艺突破固有技术瓶颈。
《科创板日报》10月19日讯, 长鑫科技于今日(10月19日)召开2026年第二次临时股东会,会议释放强烈的积极信号。
在会上,长鑫科技介绍了前三季度业绩预告:预计2026年前三季度实现营业收入2650亿至2700亿元,同比增长超7倍;归母净利润高达1310亿至1325亿元,实现同比扭亏为盈。长鑫科技表示,亮眼的财务表现源于行业景气度上行、产能利用率保持高位以及产品结构持续优化。
针对与会股东关心的产能落地与市场供需走势等问题,长鑫科技在交流中回应称, 公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转,订单饱满,有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构,从容应对市场变化。
结合当前的宏观与产业环境,长鑫科技进一步指出, 公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容,预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇,公司已构建强大的产品技术实力,承接市场需求。技术路线上,公司坚持自主研发与“跳代研发”策略,已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代;产品端已实现从LPDDR4X到DDR5、DDR5X,再到最新LPDDR6的全系列产品覆盖,核心技术达国际先进水平。
在谈及未来的战略布局与核心竞争力时,长鑫科技管理层重点强调,公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”,以创新工艺突破固有技术瓶颈。目前,公司已采用创新的四重自对准图形工艺,第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台,存储密度与器件性能大幅提升。核心产品LPDDR6内存芯片传输速率达12800 Mbps,功耗较LPDDR5X产品下降20%,兼顾高速、低功耗与高可靠性,广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等AI时代核心场景。同时,公司在4F²等先进技术架构方面已取得关键进展。
在10月16日长鑫科技披露2026年前三季度业绩预告后,多家头部券商研究机构及资深半导体分析师指出,长鑫科技凭借从先进技术到产品矩阵的全面突破,不仅成功把握了行业上行周期机遇,更在全球存储芯片格局重塑中确立了关键地位,作为国内存储巨头的长期价值正迎来历史性的加速兑现期,即将披露的第三季度完整季报势必成为下一个重要看点。
