《科创板日报》10月30日讯（记者 郭辉）刚刚，长鑫科技发布2026年第三季度报告。

报告显示，长鑫科技2026年第三季度（7-9月）实现营业收入约1187.14亿元，同比增长613.18%；实现归母净利润约544.35亿元，同比扭亏为盈，环比增长约3.01%。

单季度来看，据长鑫科技第三季度报告，公司Q3营收较二季度的995亿元环比增长19.30%；利润总额达990亿元，较二季度的817亿元环比增长21%。其中，利润总额21%的环比增速高于营收19%的增速，表明公司在规模快速扩张的同时，产品附加值正在不断增强，整体运营效能持续优化。

长鑫科技表示，得益于全球算力需求的快速增长和全球主要厂商产能调配等因素影响，公司业绩变动主要系全球DRAM产品供不应求，公司产品销售数量和销售价格大幅上涨，叠加单位成本下降，产品毛利大幅上升所致。

从利润率指标来看，长鑫科技三季度整体毛利率达到89.53%，较二季度提升1.94个百分点，反映公司在高端产品线上的竞争力提升，成本控制与产品结构优化取得了成效。

今年前三季度，长鑫科技经营活动产生的净现金流达到2548亿元，比上年同期增长1865%；仅三季度单季度，公司实现经营性净现金流1236亿元，较二季度环比增长近40%。

与此同时，长鑫科技的资本结构持续优化，财务杠杆大幅降低。截至三季度末，长鑫科技资产负债率大幅降至36.34%，比上年末大幅下降17.9个百分点，比上季度末下降5.8个百分点，意味着公司的固定财务费用支出减少，财务风险大幅降低，抗风险能力显著增强。

2026年前三季度，长鑫科技累计研发投入高达110.71亿元，较去年同期大幅增长73.03%。

技术研发接连斩获突破性成果

在长鑫科技近期举行的股东会上，谈及未来的战略布局与核心竞争力时，长鑫科技管理层表示，公司将深入内存制造极致微缩领域的“无人区”，以创新工艺突破固有技术瓶颈。

目前，长鑫科技已采用创新的四重自对准图形工艺，第五代技术平台制程比肩业内已量产的最先进平台，存储密度与器件性能大幅提升。其核心产品LPDDR6内存芯片传输速率达12800 Mbps，功耗较LPDDR5X产品下降20%，兼顾高速、低功耗与高可靠性，广泛适配智能终端、数据中心、边缘计算、智能驾驶及智能制造等AI时代核心场景。同时，公司在4F²等先进技术架构方面已取得关键进展。

具体来看，今年10月，长鑫科技官宣其4F² DRAM架构研发近期取得关键进展，预计将于年底推出融合4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。4F²从单元结构入手，为国产DRAM微缩打开新的工艺路径。长鑫科技4F²架构相关的公开专利族超300件，数量领先海内外厂商。

长鑫科技9月20日宣布，该公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代 LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，充分释放数据传输潜力，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外厂商长期垄断产品先发的局面，实现全球首发量产。

根据中证指数公司网站最新披露数据，长鑫科技已被纳入上证综合指数，权重为4.67%，位列第一大权重股。农业银行、工商银行紧随其后，权重分别为3.83%和3.77%。

同时，长鑫科技也被纳入上证科创板综合指数，权重高达15.74%，同样位列第一大权重股，寒武纪、海光信息在该指数中分列二、三位。两个指数合计来看，长鑫科技在上证综指中以4.67%的权重居首，在科创综指中占比更是接近16%，成为横跨沪市宽基与科创宽基的核心权重标的。

存储景气周期信心不变

从行业来看，DRAM行业整体处于景气周期的预期不变。Counterpoint预计，今年三季度DRAM价格环比上涨10%-20%，存储供需偏紧或延续至2027年。TrendForce则预计，今年第四季度Conventional DRAM、HBMBlended及NAND Flash合约价分别环比上涨10%-15%、15%-20%和15%-20%。

长鑫科技在近期举行的股东会上表示，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。“面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，承接市场需求。”

全球存储产业处于扩产周期。长鑫科技科创板IPO募投项目正在施行当中，包括晶圆产线改造升级、DRAM技术升级、动态随机存取存储器前瞻技术的研发等项目。

长鑫科技在交流中称，该公司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率运转，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。

今年9月底，长鑫科技宣布两项合计投资高达349亿元的研发及封测项目。

长鑫科技表示，为了保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，该公司急需增加自建测试产能的投入。同时，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。

根据Omdia数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，全球市场份额从近乎为零攀升至2025年第四季度的7.67%。

多家头部券商研究机构及资深半导体分析师指出，长鑫科技凭借从先进技术到产品矩阵的全面突破，不仅成功把握了行业上行周期机遇，更在全球存储芯片格局重塑中确立了关键地位，作为国内存储巨头的长期价值正迎来历史性的加速兑现期，即将披露的第三季度完整季报势必成为下一个重要看点。