在10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。该研究院有关负责人透露，GaN芯片已完成多款产品设计，并已获得中电集团客户认证成功，计划2019年正式推出，将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。

GaN是第三代半导体的代表材料。采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及4G/5G通讯基站应用场景，出于军事安全的考量，国外对高性能的氮化镓器件实行对华禁运。因此，发展自主GaN射频功放产业，对于打破国外垄断具有重要的意义。

A股上市公司中：

乾照光电凭借在砷化镓和氮化镓光电器件领域多年研发和生产的积累，投资16亿元加码半导体研发生产项目。

海特高新旗下的海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，规划总投资20亿元加码产业化。

耐威科技控股子公司聚能晶源团队掌握了国内领先的第三代半导体氮化镓（GaN）从材料生长到器件设计、制造的完整高端工艺和丰富经验，成为高频大功率应用的8寸硅基氮化镓（GaN）晶圆材料供应商。

台基股份正在跟踪和研发以SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术。