《科创板日报》（上海，记者 吴凡）讯，10月9日晚，中微公司（688012.SH）公告称，其向特定对象发行A股股票申请获得上交所的受理。

今年8月29日，中微公司披露定增预案，拟向不超过35名符合证监会规定条件的特定投资者发行股票数量不超过本次发行前公司总股本的15%，即本次发行不超过80229335股。拟募资金额不超过100亿元，分别投向中微产业化基地建设、中微临港总部和研发中心以及科技储备资金。

《科创板日报》记者注意到，中微公司10月9日披露的定增申报稿中，未对预案中的募集资金及募投项目进行调整，并且发行对象仍未确定。

根据《上海证券交易所科创板上市公司证券发行承销实施细则》，适用一般程序的向特定对象发行股票的，董事会可以决议确定全部发行对象，也可以决议确定部分发行对象（其他发行对象可以通过竞价方式确定），若董事会决议未确定发行对象的，也可以通过竞价方式确定发行价格和发行对象。

中微公司称，公司暂时也无法确定此次发行是否存在因关联方认购本次发行的 A 股股票而构成关联交易的情形。

在募投项目方面，中微产业化基地建设项目拟投资总额为31.77亿元，其中，拟投入募集资金31.7亿元。该项目预计建设周期为5年，计划在上海临港新片区以及南昌市高新区新建生产基地。其中，临港产业化基地将主要承担公司产品的产能扩充及新产品的开发和生产工作；南昌产业化基地主要承担较为成熟产品的大规模量产及部分产品的研发升级工作。

而中微临港总部和研发中心项目预计总投资额为37.56亿元，拟使用募集资金投入37.5亿元，建设周期为5年，公司预计于今年11月完成土地招拍挂工作。

值得注意的是，中微临港总部和研发中心项目将有部分资金用于新产品的研发项目，包括UD-RIE刻蚀设备的开发及应用（存储 HAR 介质刻蚀工艺）、SD-RIE刻蚀设备的开发及应用（先进制程介质刻蚀工艺）、下一代多晶硅刻蚀设备ICP Nanova+的开发及应用（7/5/3nm 多晶硅刻蚀、3D NAND多层台阶刻蚀、1Znm DRAM前端关键刻蚀工艺）、下一代双头多晶硅刻蚀设备ICPTwin Star+的开发及应用（14nm 以下双头刻蚀、3D NAND多层台阶刻蚀、20nm 以下DRAM 双头ICP刻蚀）、ALE原子层刻蚀设备的研发（3nm 及以下）等。

申报稿显示，作为目前领先的半导体设备国产厂商，中微公司的等离子体刻蚀设备已经可以应用到5纳米生产线，并正在验证5纳米以下加工能力。另外公司另一大业务MOCVD设备在2018年下半年，已经占据了全球新增氮化镓基LED MOCVD设备市场的 60%以上。

中银证券此前发布的研报认为，中微公司此次定增的主要目的是提高现有产品产能、丰富公司产品线，并提高产品研发强度，缩小与国际龙头LamResearch、Applied Materials等研发投入差距。