行业动态|“双碳”不断“点火” 巨头纷纷加码第三代半导体 短期恐有过剩风险
原创
2021-12-13 07:52 星期一
财联社记者 王碧微
在国内的三代半产业投资进行得如火如荼的同时,短期的产能过剩值得警惕。

财联社(深圳,记者 王碧微)讯,据中国政府网消息,12月8日至10日在北京举行的中央经济工作会议再度强调了对“绿色发展”的支持。 随着“双碳”战略目标不断推动,处于新能源汽车、光伏等“黄金赛道”上的第三代半导体产业不断“出圈”。近期,露笑科技(002617.SZ) 投入29.4亿元生产 6 英寸碳化硅衬底、博世扩产碳化硅功率半导体至上亿颗等新消息不断挑动二级市场神经,使得第三代半导体再度处于话题中心。

日前,在深圳举办的“化合物半导体新应用前瞻分析会”现场,多位业内人士向财联社记者表示,目前第三代半导体在光电子、射频电子和功率电子都具有更优的性能,能够促进终端的节能,是实现“双碳”的一种方式。而在各大企业疯狂加码的现状下,北京大学宽禁带半导体研究中心主任沈波指出,三五年内第三代半导体可能会有产能过剩的风险存在。华灿光电(300323,SZ)副总裁王江波表示,在此情况下,价格战恐难以避免。

“双碳”加持 资本市场持续加码三代半

“目前,第三代半导体主要有三大应用领域——光电子、射频电子和功率电子。在这些领域,它有非常好性能。” 北京大学宽禁带半导体研究中心主任沈波表示,“我国提出的新基建七大方向,都与第三代半导体密切相关,如5G基站、充电桩、新能源汽车的驱动、特高压电网和轨道交通等等。”

第三代半导体指得是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。碳化硅可适用于更高压的环境,比如车载,5G基站,电网等;而氮化镓则更多用于对高频有需求的环境中,如数据中心等。

目前,得益于快充市场的迅速扩张,氮化镓已经迎来了第一轮爆发。根据Yole预计,到2025年氮化镓电力电子器件市场将超过15亿美元。CASA Research数据显示,2020年国内PD快充氮化镓电力电子器件市场规模约1.5亿元,全球PD快充氮化镓电力电子器件市场规模超过3亿元;到2025年市场规模将超过40亿元,年均复合增长率97%。

碳化硅方面,根据Yole和Omdia数据,到2020年底,碳化硅电力电子市场规模约为7.03亿美元,到2025年碳化硅电力电子市场规模将超过30亿美元,其主要驱动力为新能源汽车和消费电子。

“第三代半导体相对于传统的半导体,能够提高产品的转化效率,降低损耗,可以促进终端电力节能、电子设备提效,这个其实就是实现碳中和的一种方式。”集邦咨询分析师龚瑞骄向记者表示道。龚瑞骄进一步表示,正是得益于第三代半导体与国家的新基建息息相关,很多项目是硅无法完成的,因此第三代半导体很有可能成为我国企业实现“弯道超车”的机会。

近期,越来越多的国内上市公司争相加码“三代半”。华灿光电副总裁王江波近日向记者表示,公司与合作伙伴推出的第三代半导体已有试样,预期明年有产品推出;华润微(688396.SH)CEO李虹曾于活动中表示预计于12月发布新的碳化硅MOSFET产品;露笑科技于11月底定增募资近30亿投入6英寸碳化硅衬底等项目;闻泰科技(600745.SH)11月在投资者互动平台表示,目前公司的650V氮化镓技术,已经通过车规级测试,碳化硅产品目前已经交付了第一批晶圆和样品;新洁能(605111.SH)11月初公告将募资近15亿用于第三代半导体功率器件。

短期恐过剩 价格战难以避免

而在国内的三代半产业投资进行得如火如荼的同时,短期的产能过剩值得警惕。

首先,尽管市场增速迅猛,但是第三代半导体对于传统半导体的替代程度有限。沈波向记者表示,“第三代只是在一些细分市场上能够替代硅或者与硅共存。目前,硅功率电子产品已经非常成熟、便宜,以后也大概率会是市场占比最大的半导体产品。未来,第三代半导体市场一定是会不断增加的,但究竟有多大市场占有率仍是未知。”

再者,第三代半导体的渗透需要时间。沈波称,“想要真正在新能源汽车中使用,可靠性验证需要时间。下游对衬底、外延、芯片的需求都是逐步升高的,因此替代是一个渐进的过程。” 沈波进一步指出,“目前,硅并不是不能用,只是碳化硅更好,但价格依然偏高。”

在这种情况下,短期内的价格战恐无法避免。华灿光电副总裁王江波向财联社记者表示,“行业在供需关系失衡的情况下可能会导致价格战,但价格战不能一概而论,价格战使产品价格降低,可以让产品有大批量导入或者提高渗透率的机会。”王江波接着指出,“另一方面,不良竞争的确可能导致资源浪费。需要行业或国家层面做好资源调配和市场引导,避免出现不良竞争出现,否则会出现过度投入,造成产能浪费。”

而对于行业的长远发展,沈波持乐观态度。沈波认为,由于国家的“十四五”规划中,电动汽车数量预期要达到700万台,仍有很大增长空间,因此待需求释放后第三代半导体的产能并不会过剩。

在近日印发的《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》中,亦提出支持开展关键新材料“卡脖子”技术攻关,搭建硅基光电子、第三代半导体器件等重点领域共性技术平台,加速技术及产品研发进程;围绕碳化硅、氮化镓等高品质材料、器件、核心设备,打造第三代半导体高端产业链。

收藏
100.11W
我要评论
欢迎您发表有价值的评论,发布广告和不和谐的评论都将会被删除,您的账号将禁止评论。
发表评论
要闻
股市
关联话题
1.56W 人关注
1.82W 人关注
8271 人关注