HBM

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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠

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2026-04-28 14:55 来自 TheElec

【SK海力士：HBM混合键合工艺良率已得到提升】《科创板日报》28日讯，SK海力士宣布，其高带宽存储器（HBM）混合键合工艺的良率已得到提升。公司技术负责人金钟勋（Kim Jong-hoon）表示，采用混合键合技术的12层HBM堆叠结构的验证工作已经完成，目前正在提高良率，以便将其应用于量产。 (TheElec)

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2026-04-24 06:17 来自上证报

【存储“超级周期”进入业绩兑现阶段】财联社4月24日电，近期，A股存储产业链上市公司一季度业绩情况密集披露，单季度盈利超过去年全年向市场传递出清晰信号：由AI驱动的存储“超级周期”开始进入业绩兑付期。记者采访了解到，在HBM产能被提前订购、存储价格连续跳涨的背景下，本轮存储芯片供不应求的市场格局将至少持续至2027年，随着AI算力需求呈现指数级增长，存储行业正经历从周期性波动向结构性增长的“范式转移”。 (上证报)

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2026-04-23 16:36

【OpenAI发布20颗HBM内存堆栈的芯片专利】《科创板日报》23日讯，OpenAI发布了一项新专利，展示了一个拥有20颗HBM内存堆栈的计算芯片组，该芯片通过嵌入式逻辑桥接器突破了HBM封装距离限制，显著提升了内存容量，使芯片能够应对更大规模的AI模型。

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2026-04-23 09:03

【SK海力士计划2027年实现下一代高带宽内存芯片HBM4E的量产】财联社4月23日电，SK海力士高管周四在业绩电话会议上表示，公司计划2027年实现下一代高带宽内存芯片HBM4E的量产，公司计划今年下半年开始向客户提供HBM4E样品。关于HBM4，SK海力士计划按照既定计划逐步提高产量，以满足客户所需的性能水平。

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2026-04-23 08:40

财联社4月23日电，SK海力士表示，预计未来三年来自客户的HBM需求将远远超出公司的HBM产能。

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2026-04-23 07:06

财联社4月23日电，SK海力士称，今年资本支出预计较去年大幅增加；大部分资本支出将用于龙仁半导体集群相关基建筹备、M15X产线扩产及核心设备采购；计划按与客户约定的时间表，推进HBM4芯片量产爬坡。

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2026-04-22 10:46 来自台湾电子时报

【消息称三星叫停1d DRAM量产计划】《科创板日报》22日讯，消息称三星电子已撤回10纳米级第七代1d DRAM原订的量产计划。这让业界担心，三星的次时代高带宽存储器（HBM）蓝图恐将出现部分延误。 (台湾电子时报)

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2026-04-19 22:47 来自央视财经

【内存价格可能还要涨 HBM千亿美元大市场来了】财联社4月19日电，长江证券电子行业资深分析师蔡少东在《前海会客厅》中表示：“HBM （高带宽内存）这个新的产品在过去三年其实完成了10倍以上的增长，我们可以看到2025年整个市场规模是在350亿美元，预计2027到2028年整个市场应该会突破1000亿美元。”“我们自己的判断是，在二季度合约的价格，有希望环比上涨30%到50%，有一些部分可能会比这更高。在下半年三四季度，整个存储的合约价涨幅会趋于收敛。” (央视财经)

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2026-04-17 17:39 来自 ChosunBiz

【三星电子加速研发下一代高带宽内存首批HBM4E将于5月生产】《科创板日报》17日讯，三星电子正全力推进其下一代高带宽内存（HBM）产品的研发进程，力求在高端人工智能内存市场进一步巩固自身的优势。据报道，三星电子计划最早于2026年5月生产出首批符合英伟达标准的HBM4E样品。业内人士透露，三星有着明确且紧凑的时间规划。其目标是在下月中旬之前，让代工部门成功生产出HBM4E核心逻辑芯片的样品。 (ChosunBiz)

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2026-04-15 10:47 来自 ChosunBiz

【三星电子HBM4良率仍低于60%】《科创板日报》15日讯，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）的良率仍低于60%，该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。另一方面，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的“成熟良率”。 (ChosunBiz)

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2026-04-14 18:27 来自财联社刘蕊

全球存储大狂欢！SK海力士股价再创新高闪迪、南亚科捷报频传

①SK海力士股价在韩国股市上攀升至历史新高，得益于韩股大盘整体回暖，以及近期闪迪、南亚科等存储器同行的利好消息，市场对存储芯片需求的乐观情绪升温；
③多家同行的强劲业绩让投资者对SK海力士的业绩充满期待，多数机构预测其第一季度营利能够达到40万亿韩元左右，近乎于去年全年营利。

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2026-04-13 14:47 来自科创板日报张真

一年30倍牛股，布局AI存储前沿技术

①闪迪计划于今年下半年推出原型产品，日本已成为其生产基地的热门候选地；
②近期，闪迪与SK海力士联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的HBF全球标准化战略；
③过去一年，得益于AI热潮下的存储芯片超级周期，闪迪已涨逾2900%。

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2026-04-10 10:54 来自台湾电子时报

【SK海力士新厂M15X扩大最先进DRAM的量产规模】《科创板日报》10日讯，SK海力士将于近日在位于韩国清州的新厂M15X正式扩大最先进DRAM的量产规模。业界预测，M15X将成为SK海力士2027年前持续扩大高带宽存储器（HBM）产量的核心据点。 (台湾电子时报)

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2026-04-10 09:12

【韩美半导体将推出第二代混合键合机原型】《科创板日报》10日讯，韩美半导体表示，公司将于年内推出用于下一代HBM生产的“第二代混合键合机”原型机，并开始与客户合作。此外，公司还计划于明年上半年启动其混合键合机工厂的运营。

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2026-04-09 14:33

【花旗预计SK海力士一季度经营溢利同比飙升426% 目标价上调至170万韩元】财联社4月9日电，全球存储晶片巨头SK海力士将于本月下旬公布首季业绩。花旗发表报告，料其首季经营溢利39.1万亿韩元(约264.1亿美元)，按季升104%，按年升426%，受今年首季记忆体价格上升及HBM销售持续支持。64GB伺服器DDR5 DRAM定价料维持强劲直至下半年，该行相信HBM需求及对商品记忆体具约束力长期供货合约(LTA)将延续盈利可见度及降低周期性。为反映DRAM及HBM需求持续上行轨道及记忆体市场持续结构转变，花旗重申对SK海力士“买入”评级，目标价由原先155万韩元上调至170万韩元。

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2026-04-09 14:29

【瑞银将SK海力士目标价从155万韩元上调至170万韩元】财联社4月9日电，媒体引述瑞银报告指出，AI驱动的HBM需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期与存储SSD需求的同步爆发，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度，是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。瑞银称，SK海力士在HBM领域占据领导地位，在估值方法上，采用12个月远期市净率倍数对SK海力士进行估值，基于其32.1%的长期ROE预测和11.2%的权益成本，得出2.86倍的目标市净率，目标价从155万韩元上调至170万韩元，同步大幅上调SK海力士2026及27年每股盈测分别22%和29%。该行对其2026年经营利润预测高达286万亿韩元(约1,931.15亿美元)，较市场预期大幅高出约57%。在收入端，瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元(超市场预期41%)，2027年预测为531.6万亿韩元(超市场预期65%)。经营利润方面，该行预测SK海力士2026年为286万亿韩元(超市场预期57%)，2027年为443.5万亿韩元(超市场预期88%)。

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2026-04-09 08:47 来自 dealsite

【SK海力士猛攻1c DRAM：良率已升至80% 超半数产能年内转换】《科创板日报》9日讯，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。 (dealsite)

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2026-04-07 13:52

【全球首款纯内存芯片ETF近日在美股上市重押全球三大DRAM巨头】财联社4月7日电，美东时间上周四（4月2日），由Roundhil推出的内存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代码为“DRAM”）正式上市美股，被定位为市场上首款“纯内存ETF”。根据公告信息，DRAM ETF是一款主动管理型ETF，费率为0.65%，投资于一系列内存和存储产品制造商，目前仅持有九只股票。只有50%以上收入来自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被纳入。该ETF主要重押全球三大DRAM巨头：美光科技（24.99%）、三星电子（24.22%）、SK海力士（23.83%），三者合计权重超七成。其投资组合还纳入了闪迪、日本铠侠、西部电子、希捷、以及中国台湾的南亚科和华邦电等内存大厂。

作为当前市场上首个专注于投资内存芯片的ETF，DRAM ETF反映出当前内存市场的热度已经足够火爆。但是，也有不少投资者担忧，这只ETF可能会成为标志着存储市场已经过热，或许会成为警示多头的“反向卖出指标”。

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2026-04-07 10:34 来自 nate

【消息称三星电子为平泽P5晶圆厂PH1阶段下达70余台光刻机订单】《科创板日报》7日讯，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。 (nate)

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2026-04-07 08:55 来自财联社刘蕊

内存价格要上天！三星Q1营利暴增八倍 Q2将再提价30%

①三星电子预计其第一季度营利将创历史新高，较去年同期增长逾八倍，营收预计同比增长68%，达到133万亿韩元；
②三星电子已与主要客户完成第二季度DRAM价格谈判并签署供货合同，价格较第一季度再上涨约30%。

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