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HBM
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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2025-12-02 22:20
【三星完成第六代HBM4芯片开发 向英伟达送样待量产批示】财联社12月2日电，三星电子已完成其第六代高带宽内存(HBM4)芯片的开发，并正进入量产准备阶段。这家韩国科技巨头目前正向英伟达发送HBM4原型样品进行质量测试。三星的目标是在年底前完成HBM4的开发，一旦通过英伟达的质量测试，便可能立即开始量产。据悉，三星也正在建立即时量产的系统。
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2025-12-02 15:44 来自 DealSite
《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。 (DealSite)
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2025-12-01 20:41
【美光广岛DRAM工厂扩建2026年5月启动 目标2028年出货】《科创板日报》1日讯，美光扩建日本广岛县东广岛市DRAM工厂的施工将于2026年5月启动，目标2028年实现HBM内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。
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2025-12-01 09:09 来自 科创板日报 张真
存储大厂打入“谷歌链”！SK海力士借机巩固HBM龙头地位
①SK海力士或成为谷歌第七代TPU内部HBM3E 8层芯片的首选供应商；
②KB证券认为，谷歌TPU或增加三星电子尖端晶圆代工厂的内存供应量；
③韩国投资证券分析师预测，SK海力士将占谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子将占43.4%。
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2025-11-28 15:27 来自 TheElec
【HBM9或于2040年问世 性能有望达到HBM4的60倍】《科创板日报》28日讯，韩国纳米制造中心(NNFC)的首席研究员杨俊模(Yang Jun-mo)预测，HBM9预计将于2040年左右问世，其性能将比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存储器预计将采用超过32层堆叠结构，带宽最高可达每秒128太字节(TB/s)。 (TheElec)
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2025-11-28 10:42 来自 BusinessKorea
【三星HBM研发团队解散 并入DRAM回归常态化运营】《科创板日报》28日讯，三星电子宣布重大组织架构调整，正式解散成立仅一年的HBM（高带宽内存）特别开发团队，并将相关人员与业务并入DRAM开发部门下的设计团队。 (BusinessKorea )
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2025-11-26 14:44
【机构：2025年第三季度DRAM产业营收季增30.9%达414亿美元】财联社11月26日电，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合约价上涨、出货量季增，且HBM出货规模扩张，推升DRAM产业营收较前一季成长30.9%，达414亿美元。展望第四季，随着原厂库存普遍见底，出货位元季增幅将明显收敛。价格部分，由于云端服务供应商(CSP)对采购价格态度较开放，其他应用需跟进价格涨幅，以确保原厂的供应量，预期将导致先进及成熟制程、各主要应用的合约价快速攀升，预估第四季最终conventional DRAM合约价将季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整体合约价亦将上涨50-55%。
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2025-11-24 10:25
【分析师：DRAM价格上涨将推动三星业绩强劲增长】《科创板日报》24日讯，Kiwoom证券分析师Pak Yu-ak在研报中指出，由于DRAM芯片价格高于预期，预计三星电子第四季度业绩将超过市场预期。作为全球最大的存储芯片制造商，预计三星第四季度营业利润将达到17.6万亿韩元，比第三季度增长44%，高于市场普遍预测。Pak Yu-ak表示，个人电脑、手机和数据服务器所用DRAM芯片的固定价格正以快于预期的速度上涨。Kiwoom预计，三星2026年的营业利润将达到100万亿韩元，理由是公司在HBM4市场的预期增长以及通用型DRAM芯片价格的提升。
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2025-11-22 10:38
【中科飞测首台晶圆平坦度测量设备出货HBM客户端】财联社11月22日电，据中科飞测消息，近日，中科飞测首台晶圆平坦度测量设备——GINKGOIFM-P300出货HBM客户端。GINKGOIFM-P300的成功推出，标志着我国在该领域实现了重大突破，打破了国外厂商的长期垄断，突破国内设备对超高翘曲晶圆、低反射率晶圆的量测限制，同时支持键合后晶圆、化合物半导体衬底（SiC/GaAs）的全参数检测。
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2025-11-19 20:27 来自 DealSite
【消息称三星调整存储业务战略：聚焦DRAM盈利 暂缓HBM扩张】《科创板日报》19日讯，为提升盈利能力，三星电子正对存储业务实施新战略，在DRAM价格持续上涨的背景下，优先扩大通用型DRAM产能，同时暂缓高带宽存储器（HBM）相关投入。未来数年，公司可能会扩大通用型DRAM的生产，以提高盈利能力。 (DealSite)
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2025-11-18 20:29
【小米卢伟冰：已签2026年内存供应协议 可能通过涨价应对成本上升】《科创板日报》18日讯，在今日举行的小米三季度业绩媒体电话会上，小米集团合伙人、总裁卢伟冰就存储成本攀升问题作出回应。他指出，当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增，而非传统的手机、笔记本行业周期波动。面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议，确保全年供应不受影响，并表示未来可能通过涨价和产品结构升级来平滑成本压力。
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2025-11-13 15:23 来自 ChosunBiz
【三星电子、SK海力士目标在2026年上半年完成HBM4E的研发】《科创板日报》13日讯，三星电子和SK海力士已设定目标，力争在2026年上半年完成HBM4E的研发。据悉，HBM4E将应用于全球科技巨头的新型人工智能加速器中，包括英伟达Rubin平台的顶级版本R300。搭载HBM4E的AI加速器预计将于2027年发布，因此双方正在加速研发，争取在明年下半年完成质量验证。 (ChosunBiz)
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2025-11-13 13:52
【机构：存储器产业2026年资本支出仍显保守 对位元产出成长助力有限】《科创板日报》13日讯，根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着存储器平均销售价格(ASP)持续提升，供应商获利也有所增加，DRAM与NAND Flash后续的资本支出将会持续上涨，但对于2026年的位元产出成长的助力有限。DRAM和NAND Flash产业的投资重心正逐渐转变，从单纯地扩充产能，转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。
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2025-11-11 16:20 来自 台湾经济日报
【消息称存储厂旺宏NOR Flash明年Q1计划涨价 涨幅或达30%】《科创板日报》11日讯，随着AI服务器搭载的HBM规格从HBM3E走向HBM4，堆叠层数增加的趋势下，NOR Flash用量提升约50%，存储旺宏订单满手，将在明年第一季度调涨NOR Flash报价，涨幅上看三成。 (台湾经济日报)
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2025-11-06 08:24
【中信证券：三大存储原厂暂停DDR5报价 建议关注产业链内细分材料龙头供应商】财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
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2025-11-06 08:16
【盘前题材挖掘】①SK海力士的HBM4较上代涨价50%，HBM产业链或迎扩产机遇。②小鹏新一代人形机器人IRON亮相，机器人板块有望迎来密集催化。③黑龙江将开展冬季冰雪旅游“百日行动”，冰雪产业规模有望破万亿。
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2025-11-06 08:00 来自 财联社
SK海力士的HBM4较上代涨价50% HBM产业链或迎扩产机遇
①一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。”
②民生证券指出，国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。
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2025-11-05 20:01 来自 科创板日报 宋子乔
SK海力士拔得HBM4头筹：与英伟达谈拢 价格较上代涨50%
①SK海力士已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判；
②其HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上，超出预期10%以上。
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2025-11-05 19:22 来自 首尔经济日报
【SK海力士向英伟达供应的HBM4较上代涨价50%】《科创板日报》5日讯，SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 (首尔经济日报)
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2025-11-04 18:58 来自 闪存市场
【存储现货市场多数成品端价格继续上涨 控货涨价仍是主旋律】《科创板日报》4日讯，得益于三季度NAND、DRAM两大产品线价格环境明显改善，加上为顺应服务器NAND、DRAM强劲的新增需求，扩大服务器DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD等高附加值产品的销售，带动三星、SK海力士等原厂Q3存储业务营收创下历史最高纪录，显著提高整体盈利水平。从财报数据显示，当前库存已快速消耗，原厂将进一步提高应用于服务器市场的高利润产品份额，包括DRAM、NAND产品在内的整体供应增长有限。此轮涨价的核心驱动力源自服务器存储需求的爆发，原厂产能结构性转移至服务器市场，mobile、PC及现货市场供应已然受到影响，消费类NAND、DRAM强势涨价已然跳脱需求因素，在未来一段时间内，现货市场DRAM、NAND供应趋紧、价格上涨的市况或成为常态。 (闪存市场)
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