HBM

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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠

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2026-09-10 14:07

【定价下调 DeepSeek V4.1 Flash模型正式发布】财联社9月10日电，DeepSeek V4.1 Flash模型正式发布。据介绍，该模型具备原生多模态视觉理解能力，新模型结构的设计初衷是：能力上限更高、推理速度更快、吞吐更大、可扩展到更大参数模型。得益于模型架构的创新，DeepSeek下调了V4.1 Flash的定价。同时，为了更合理地调配资源，仍然采用峰谷定价，闲时价格为高峰时段价格的一半，鼓励用户根据实际使用情况调整任务时间。新价格于2026年9月10日12:00开始生效。

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2026-09-07 17:35 来自第一财经

【长鑫科技回应“与苹果合作”】财联社9月7日电，此前市场传言苹果已在测试长鑫科技的芯片。长鑫科技总经理赵纶回应称，公司以开放的态度与全球优质客户探讨合作机会，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。至于HBM（高带宽内存）领域的进展，赵纶表示，公司将按照既定的技术路线图和商业计划保持产品与制程工艺的持续迭代。此前长鑫科技下游应用偏重消费电子。记者就服务器市场收入占比向长鑫科技提问。赵纶表示，服务器市场需求旺盛，上半年公司持续在该领域拓展业务，在下游需求提升等因素推动下，公司应用于服务器领域的产品贡献增加。关于国产光刻机DUV导入验证情况，长鑫科技称，公司围绕供应链建设采取了一系列措施，重点聚焦国产供应链的开发与验证，带动半导体设备等产业链核心环节协同发展。 (第一财经)

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2026-09-02 15:36 来自财联社冯轶

存储高景气向上游传导华虹宏力联合多家机构增资无锡三期扩产

①华虹宏力拟对无锡华虹宏力三期增资，建设月产能约5.5万片/月的12英寸特色工艺晶圆代工产线。
②公司二季度产能利用率超100%，存储需求拉动有多强劲？

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2026-09-02 08:58

【台积电将微通道散热技术纳入研发蓝图】《科创板日报》2日讯，台积电先进封装研发处长陈燕铭表示，微通道（Microchannel）散热技术通过在晶片或封装结构内设置微型流体通道，让冷却液更接近热源，有助提高热传效率，台积电已开始导入相关技术，并计划与封装架构共同开发。陈燕铭还称，台积电可整合24颗HBM、面积大于14倍光罩尺寸的CoWoS版本预计2029年实现。从2024年至2029年，单一CoWoS封装可整合的AI运算晶体管数量将增长逾48倍，HBM带宽规模则增加34倍，凸显散热技术必须同步升级。

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2026-09-01 13:58 来自首尔经济日报

【报道称三星存储器业务部门将2031年前约70%的产能分配给长约订单 HBM抢货情况相当激烈】《科创板日报》1日讯，AI建设热潮引爆HBM需求，并排挤传统DRAM供给、加剧内存缺货。韩媒报道，三星的存储器业务部门已将2031年前约70%的产能分配给长约订单（long-term agreements，简称LTAs），主要签约客户包括英伟达，微软及谷歌等大型科技公司。然而，HBM抢货情况相当激烈，就连这些大型科技公司都无法取得合约约定的全部供货量，使现货价格进一步飙升。 (首尔经济日报)

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2026-08-31 18:27

【英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM 可为XPU提供更高的内存性能和效率】财联社8月31日电，随着AI智能体和万亿参数工作负载日益成为主流，AI基础设施的性能不仅取决于计算能力，还取决于计算、内存、存储、网络和软件如何作为统一系统进行协同设计。为帮助超大规模企业和 AI 创新者构建新一代半定制AI基础架构，NVIDIA推出NVIDIA NVHBM技术，进一步扩展了NVIDIA NVLink Fusion技术方案。NVHBM是一种新一代高带宽内存技术，可为XPU提供更高的内存性能和效率。该技术将由领先的内存合作伙伴完成验证并提供，从而让这种先进的内存能力惠及NVLink Fusion客户。通过将内存控制器集成到3D HBM堆栈，而不是集成在XPU上，与标准HBM4E相比，NVHBM可实现高达30%的内存带宽提升，将HBM功耗降低15%，并为XPU计算die释放多达25%的面积。

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2026-08-31 13:18 来自首尔经济日报

【三星正为英伟达开发8层HBM4E】《科创板日报》31日讯，据报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度，英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%，该产品据悉将用于NVHBM。 (首尔经济日报)

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2026-08-31 11:46 来自 Herald

【SK海力士考虑将部分HBM基础裸片交由英特尔生产】《科创板日报》31日讯，SK海力士正考虑将部分HBM基础裸片（Base Die）交由英特尔生产，借此减少对台积电晶圆代工的依赖，该计划预计将从第七代HBM芯片HBM4E开始。分析指出，对于HBM4而言，台积电的基础裸片价格比SK海力士采用其10nm级第五代工艺生产的核心芯片高出3到4倍。预计成本负担在向HBM4E过渡时还会进一步增加。鉴于HBM的长期供货合同（LTA）比例很高，公司很难立即将代工成本的增加转嫁到产品价格上，故需建立多供应商体系从而提高价格谈判能力。 (Herald)

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2026-08-28 18:04

【SK海力士CEO：存储短缺将持续到2030年底 HBM即便下行周期需求也不会暴跌】财联社8月28日电，SK海力士CEO郭鲁正在记者会上表示，“我们预计当前的市场情况将一直延续至2030年底。目前，我们没有看到任何预示市场将进入下行周期的明确信号。”郭鲁正还指出，即便未来存储市场迎来下行周期，出现过去那种剧烈下滑的可能性也极低：“在过去的多次下行周期中，存储业务本质上100%属于大宗商品，厂商主要通过扩大产能来进行同质化竞争。但对于HBM而言，客户与半导体厂商共同参与芯片研发，双方必须紧密合作以实现性能最大化，这使得市场需求更容易预测。”

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2026-08-28 17:43

【机构：英伟达AI机柜产品世代交替预估2027年NVL72产值贡献可突破7100亿美元】财联社8月28日电，根据TrendForce集邦咨询最新AI Server产业研究，GB300整柜型方案已成为2026年英伟达的出货主力，其需求预计将延续至2027年上半年。随后，新一代VR200机柜将接棒放量，成为2027年出货占比最高的产品。至于更新一代的Rubin Ultra平台（VR300），因HBM与Server架构设计细节未定，出货占比仍较低。该机构估计，2027年GB、VR等NVL72机柜出货量将年增50%以上，考量Vera Rubin系统的平均销售单价（ASP）较GB300翻倍成长，以及上游晶圆与HBM等关键零部件酝酿涨价，预估2027年包含GB300、VR200及VR300的NVL72机柜系统合计总产值贡献将突破7100亿美元，年增率高达214%，将助力ODM系统厂、供电及散热等AI数据中心供应链的成长动能。

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2026-08-27 19:23 来自 The Elec

【三星电子、SK海力士与高通合作共同推进HBC芯片商业化】《科创板日报》27日讯，三星电子、SK海力士正与高通积极合作，共同推进高带宽计算（HBC）芯片的商业化。当地时间8月26日，高通公司执行副总裁杜尔加·马拉迪（Durga Malladi）在“德意志银行2026科技大会”上透露：“在最近的投资者日活动上，我介绍了HBC的优势以及HBM的不足之处后，立即前往韩国，与两家主要的内存制造商进行了会面。”目前，三星电子、SK海力士正在同步推进HBC的研发，主要负责DRAM芯片的堆叠，并计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。 (The Elec)

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2026-08-27 18:24 来自科创板日报张真

三星电子+SK海力士+台积电！高通HBC架构迎来强援初代产品预计明年出货

①在HBC制造中，高通负责制造DRAM芯片下方的计算芯片，并提供TSV设计。
②三星电子和SK海力士负责DRAM芯片的堆叠，计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。
③海通国际证券认为，HBC契合当前推理算力需求快速增长、HBM供应紧张及客户关注单位token成本下降的大趋势。

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2026-08-27 08:57

【英伟达Q2财报会要点：明年客户需求可达翻倍级别算力短缺至少延续至2028财年末】财联社8月27日电，美东时间周三盘后，全球AI芯片龙头英伟达公布了强劲的2027财年第二季度财报并举行财报电话会议。财报会重点内容如下：

①当前无约束真实市场需求可达100%增速，全年增长受限唯一因素是供应链产能不足，而非下游需求疲软。
②服务器CPU业务迎来爆发拐点，预计2028财年营收实现翻倍以上增长，正式切入全球高端CPU赛道，打开全新增长空间。
③形成全栈AI工厂体系，从Blackwell迭代至Vera Rubin，单吉瓦算力对应的市场空间从180亿美元升至400亿美元，单位算力价值持续跃升。
④伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。
⑤AI已抵达产业拐点，彻底告别概念阶段。当前AI生成的Token具备实际生产力与商业盈利性，算力直接等价于收入，行业逻辑从“技术迭代”转向“商业变现”。
⑥AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。
⑦扩大与亚马逊的合作。在现有庞大英伟达算力部署基础之上，AWS（亚马逊云科技）从本季度直至2029财年第二季度，将额外部署200万颗GPU。
⑧存储芯片价格行情远超此前预期，明年还会继续走高。英伟达和三大存储厂商保持深度长期合作，共同扩产匹配产品路线图需求。

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2026-08-27 08:20

【英伟达：伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量 2028财年毛利率将修复至72%-73%】财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，受全球存储芯片（DRAM/HBM）持续超预期涨价影响，公司毛利率将短期承压。2027财年Q3毛利率预计74%，Q4回落至71%-72%触底；伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。管理层强调，存储涨价是AI算力需求爆发的配套产物，成本上行的同时对应行业整体景气度抬升，属于良性行业通胀。

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2026-08-27 08:16

【英伟达：AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末晶圆产能、HBM存储均处于全面紧缺状态】财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。需求端呈现双线高增：传统超大规模云厂商在手订单超2万亿美元，持续加码算力采购；非云市场（主权AI、区域NeoCloud、企业AI、科创AI）同比增速超100%，已占据公司半壁江山，成为全新增长极。

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2026-08-26 16:38 来自财联社刘蕊

机构：全球云巨头资本支出明年暴增50% 近七成用于存储采购

①TrendForce预测2026年全球AI基建资本开支达1.383万亿美元，9400亿美元用于存储采购，占比近70%，较今年提升21个百分点；
②受内存需求激增、芯片涨价影响，全球AI产业竞争重心从GPU转向存储。

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2026-08-26 13:51 来自 ZDNET Korea

【三星电子、SK海力士计划下半年增加对英伟达8层HBM4内存供应量】《科创板日报》26日讯，三星电子与SK海力士计划在今年下半年增加对英伟达的8层HBM4内存供应量，这一安排主要受英伟达供应策略影响，目的是保障各类型HBM内存的供应稳定，同时兼顾产品发热量。据了解，8层内存极有可能成为下一代HBM4E的旗舰产品。 (ZDNET Korea)

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2026-08-24 15:59

【美光研究员警告：“内存墙”依然存在 HBM无法跟上计算速度的提升】财联社8月24日电，美光HBM设计架构研究员Sreeramaneni最新警告，“内存墙”依然存在，且情况还在恶化。他表示，AI加速器计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展速度还不足每两年2倍，这可能将加剧内存的短缺。他强调，打破计算和存储之间界限的新设计将是突破这一瓶颈的途径之一。

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2026-08-24 09:09

【SK海力士正在为其下一代HBM方案引入先进封装技术】《科创板日报》24日讯，SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。

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2026-08-21 13:19 来自财联社刘蕊

破解“芯”荒困局？SK海力士据传拟赴日建存储厂投资达数百亿美元

①SK海力士正筹划在日本宫城县建设大型存储芯片厂，初步讨论投资规模为数十万亿韩元；
②若投资项目落地，这将是韩企首次在日本大规模布局半导体生产基地；
③该计划目前尚未官方宣布，仍面临美方施压赴美建厂、韩国国内相关疑虑等阻碍。

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