HBM

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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠

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2026-10-27 17:33

【马斯克坚定看好内存需求称机器人所需内存将超过其他任何领域】财联社10月27日电，马斯克表示，机器人对内存的需求将比地球上其他事物都要庞大。他强调，当人工智能从处理信息走向物理现实时，载体机器人对内存的消耗将碾压地球上现有的所有计算设备。他还表示，机器人使用的是低功耗DRAM芯片，而不是高带宽内存HBM，随着人工智能扩展到数据中心以外，芯片制造商美光和SK海力士可能会迎来更大的市场机遇。

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2026-10-22 09:20 来自科创板日报宋子乔

HBM也要散热了：SK海力士推进新技术嵌入元件可降低30%热阻

①SK海力士近期已与国内外材料、零部件和设备等上游合作伙伴接洽，推进iHBM技术研发并做好量产准备；
②iHBM技术将应用于HBM5等下一代产品；
③该技术在量产可行性方面具备显著优势。

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2026-10-19 07:54

【三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片】财联社10月19日电，据报道，三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。据悉，英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性，已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。

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2026-10-14 20:38

【摩根大通：2027年HBM均价预计上涨54%】财联社10月14日电，摩根大通10月12日发布研报预计，2027年全球HBM综合平均售价将同比上涨54%，2028年进一步上涨25%。该行认为，存储芯片供应紧张局面可能持续至2028年，届时HBM市场规模预计达到2800亿美元，累计供应缺口可能相当于23周供应量。美光已锁定2027年HBM供应价格，相关价格较2026年显著提高。

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2026-10-14 15:11

【SK海力士HBM4部分后道工序设备订单被推迟至明年业界称其扩产信号尚不明朗】财联社10月14日电，据报道，SK海力士HBM4部分后道工序设备的投资时间表近期出现明显不确定性。原计划今年下半年落地的部分设备订单正被推迟至明年，后续采购计划也未见具体化。一位行业人士表示，"原定今年投入使用的部分设备有推迟至明年的迹象，已交付设备是否满负荷运转，目前也尚无数据可供确认。"另一位人士则指出，"SK海力士明年的投资计划似乎在内部尚未最终敲定。"

目前，今年HBM4相关设备的主体发单工作已基本收尾，但追加投资的动向仍不明显。有业界人士指出，"如果投资在加速推进，相关信号应该已经显现。目前来看，SK海力士既没有明确缩减、也没有明确扩大HBM4相关投资的清晰信号。"

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2026-10-13 17:27

【高盛：高带宽闪存有望破解AI“内存墙” 潜在市场规模最高1500亿美元】财联社10月13日电，高盛12日发布研报指出，随着AI推理需求快速增长，存储容量不足正成为制约算力效率的重要瓶颈。高带宽闪存（HBF）等新型NAND技术有望缓解这一“内存墙”问题，并显著降低AI基础设施成本。该行预计，在GPU采用率达到15%至50%的情况下，HBF潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。高盛看好闪迪和SK海力士的HBF技术领先优势，维持两家公司“买入”评级；三星电子同样有望受益。相比之下，美光因业务重心偏向DRAM和HBM，直接受益程度较低，维持“中性”评级。

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2026-10-13 16:19

【三星公布下一代内存与存储技术联合AMD演示内存扩展方案】财联社10月13日电，三星电子于当地时间周一在2026年OCP全球峰会上展示了下一代内存与存储技术。会上，三星与AMD共同演示了基于Compute Express Link（CXL）的内存扩展解决方案，并展出了与AI芯片厂商Groq和英伟达相关的产品。三星还展出了定制化HBM和全新的HBM5，以及存算一体技术。

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2026-10-13 08:18

【2026年韩国半导体展览会举办在即三星电子、SK海力士将展出下一代内存技术】《科创板日报》13日讯，韩国半导体产业协会宣布，将于14日至16日在首尔江南COEX会展中心举办为期三天的2026年韩国半导体展览会（SEDEX 2026），包括三星电子和SK海力士在内的300家公司将参展，共设立888个展位。三星电子将展示适用于云计算、边缘计算和物理人工智能领域的下一代存储结构和产品。这些产品包括高带宽内存（HBM）、移动图像传感器、移动处理器、用于汽车的高可靠性半导体、半导体代工解决方案和3D存储结构。SK海力士还将发布下一代内存技术，包括第七代HBM（HBM4E）和高带宽闪存（HBF）。

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2026-10-10 19:37

【伯恩斯坦拆解AI基建成本：每吉瓦投资最高395亿美元】财联社10月10日电，伯恩斯坦研报显示，采用不同AI加速器架构，建设1GW数据中心所需的资本开支约为346亿至395亿美元。其中，英伟达Vera Rubin架构的建设成本最高，OpenAI自研ASIC架构Jalapeno则相对较低。伯恩斯坦将英伟达Rubin NVL72单机柜成本预期从此前的910万美元大幅下调至752万美元，降幅约17%，主要反映了对HBM价格和NAND存储容量预期的调整。研报还指出，AI数据中心的主要经济负担并非电费，而是巨额资本开支及其产生的折旧。

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2026-10-01 10:21

【美光科技：2027财年上半年资本支出约为250亿美元下半年将更高】财联社10月1日电，美光科技预计2027财年上半年的资本支出约为250亿美元，下半年将更高，且大部分增量将用于新建晶圆厂（建筑支出）而非单纯的设备采购。美光科技CFO Mark Murphy解释称，这完全是因为长单提供了足够的需求能见度，且新建绿地工厂需要极长的提前量。

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2026-10-01 10:14

【美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年】财联社10月1日电，美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”

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2026-09-29 14:04

【集邦咨询：上修2027年HBM价格展望预估ASP年增达121%】财联社9月29日电，集邦咨询（TrendForce）最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。

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2026-09-29 08:38

财联社9月29日电，三星电子高管表示，HBM明年将占DRAM芯片制造商总晶圆产能的近30%，而目前约为20%。

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2026-09-23 08:27

【盘前题材挖掘】①HBM供需缺口持续拉大，产业链景气度维持高位。②智谱AI旗下模型昨日调用量增超七成，算力租赁市场高景气持续。③价格上调10%，又一覆铜板企业发布调价通知。

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2026-09-23 08:04 来自财联社

HBM供需缺口持续拉大产业链景气度维持高位

①三星电子预计明年将HBM4系列高带宽内存芯片产量提升一倍以上，涵盖第六代HBM4及第七代HBM4E。
②HBM抢货情况相当激烈，供给紧缺格局短期难以逆转，存储芯片与先进封装产业链景气度有望维持高位，相关设备及材料供应商将持续受益于扩产周期。

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2026-09-15 13:05 来自 ZDNET Korea

【三星电子或推行“双轨制程”HBM生产战略】《科创板日报》15日讯，据报道，三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略预计将发生重大变化。在定制化HBM市场需求增长预期之下，该公司将采取“双轨制程”战略，即同时利用内部代工厂和台积电工艺来生产基础芯片。 (ZDNET Korea)

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2026-09-10 14:07

【定价下调 DeepSeek V4.1 Flash模型正式发布】财联社9月10日电，DeepSeek V4.1 Flash模型正式发布。据介绍，该模型具备原生多模态视觉理解能力，新模型结构的设计初衷是：能力上限更高、推理速度更快、吞吐更大、可扩展到更大参数模型。得益于模型架构的创新，DeepSeek下调了V4.1 Flash的定价。同时，为了更合理地调配资源，仍然采用峰谷定价，闲时价格为高峰时段价格的一半，鼓励用户根据实际使用情况调整任务时间。新价格于2026年9月10日12:00开始生效。

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2026-09-07 17:35 来自第一财经

【长鑫科技回应“与苹果合作”】财联社9月7日电，此前市场传言苹果已在测试长鑫科技的芯片。长鑫科技总经理赵纶回应称，公司以开放的态度与全球优质客户探讨合作机会，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。至于HBM（高带宽内存）领域的进展，赵纶表示，公司将按照既定的技术路线图和商业计划保持产品与制程工艺的持续迭代。此前长鑫科技下游应用偏重消费电子。记者就服务器市场收入占比向长鑫科技提问。赵纶表示，服务器市场需求旺盛，上半年公司持续在该领域拓展业务，在下游需求提升等因素推动下，公司应用于服务器领域的产品贡献增加。关于国产光刻机DUV导入验证情况，长鑫科技称，公司围绕供应链建设采取了一系列措施，重点聚焦国产供应链的开发与验证，带动半导体设备等产业链核心环节协同发展。 (第一财经)

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2026-09-02 15:36 来自财联社冯轶

存储高景气向上游传导华虹宏力联合多家机构增资无锡三期扩产

①华虹宏力拟对无锡华虹宏力三期增资，建设月产能约5.5万片/月的12英寸特色工艺晶圆代工产线。
②公司二季度产能利用率超100%，存储需求拉动有多强劲？

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2026-09-02 08:58

【台积电将微通道散热技术纳入研发蓝图】《科创板日报》2日讯，台积电先进封装研发处长陈燕铭表示，微通道（Microchannel）散热技术通过在晶片或封装结构内设置微型流体通道，让冷却液更接近热源，有助提高热传效率，台积电已开始导入相关技术，并计划与封装架构共同开发。陈燕铭还称，台积电可整合24颗HBM、面积大于14倍光罩尺寸的CoWoS版本预计2029年实现。从2024年至2029年，单一CoWoS封装可整合的AI运算晶体管数量将增长逾48倍，HBM带宽规模则增加34倍，凸显散热技术必须同步升级。

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