《科创板日报》9日讯，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。 (dealsite)