直击业绩会|东尼电子:SiC产品仍处送样阶段 拟引战推进项目产业化进展
原创
2022-09-14 21:28 星期三
科创板日报记者 郭辉
公司董秘罗斌斌称,公司SiC项目技术要求高、迭代快,受研发进度、下游验证周期、设备安装调试等多方面因素影响,存在不确定性,不排除项目延期的可能性。

《科创板日报》9月14日(记者 郭辉)讯 在东尼电子今日举行的业绩会上,投资者提出的近半数问题均围绕公司SiC项目展开。从以上问题结合市场观点来看,东尼电子SiC产品良率、最新产能、客户验证情况等是关注重点。

面对连连追问,东尼电子董事长沈新芳在回答中并没有给出更多信息。他表示,公司2021年度非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”预计将于2023年11月达产,目前公司正处于送样阶段,下游客户主要为东莞天域

公司董秘罗斌斌则称,公司SiC项目技术要求高、迭代快,受研发进度、下游验证周期、设备安装调试等多方面因素影响,存在不确定性,不排除项目延期的可能性

据介绍,东尼电子碳化硅项目研发团队来自我国台湾,最初主要由两位我国台湾的博士牵。上述两位人士曾赴日本学习SiC衬底制造技术,长期致力于材料科学与晶体技术研究,擅长晶体材料生长与精密切磨抛加工,具有二十余年的产品研发和量产导入经验。

东尼电子“年产12万片碳化硅半导体材料”项目主要研发6英寸导电型碳化硅衬底,建设期36个月。而6英寸SiC衬底也是目前行业较为主流的尺寸,国内厂商露笑科技、三安光电、天科合达、天岳先进等围绕这一节点已有所布局。

值得注意的是,据今年4月市场流传的一份公司调研纪要,称今年9月东尼电子方面将向东莞天域提供8英寸SiC衬底,并且管理层将良率目标定为70%。

与6英寸晶圆相比,8英寸晶圆将制造芯片的可用面积几乎扩大一倍,若实现突破将大大缓解当前产能压力。

不过业界人士普遍认为,目前国内8英寸SiC技术成熟度不足。第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山此前曾表示,国内6英寸刚刚起步,从6英寸到8英寸,国内还面临一大门槛。

因此,东尼电子近期在8英寸SiC衬底方面是否会传递出新的信号,十分值得关注,《科创板日报》将会进行持续追踪报道。

东尼电子2022年半年度报告显示,上半年营收实现8.38亿元,同比增长67.22%;归母净利润6346.80万元,同比增长320.76%;归母扣非净利润4620.91万元,同比增长1011.92%。

不过上半年经营性现金流量净额同比转负,为-5379.49万元,同比下降143.65%。公司对此解释称,碳化硅项目资产出资至子公司导致应交税金现金支出增加、库存备货付款增加、供应商结算方式改为现金支付以及太阳能胶膜业务应收款采用银行承兑汇票回款,均为现金流“恶化”的原因。

今年以来,东尼电子已抛出两项全资子公司引入战略投资者的计划,有意借助国有企业背景及资金资源等优势,其中一项便关于备受市场关注的12万片SiC半导体材料项目。

据今年9月14日公告,东尼电子全资子公司东尼半导体拟引入湖州新投和鑫祥园区共同设立的织鼎信息,作为公司战略投资者。织鼎信息将出资2.8亿元,将持有东尼半导体28%股权。

此外,东尼电子还曾宣布全资子公司东尼新能源引入湖州东利,获得3亿元资金,后者将持有子公司35%股权。湖州东利由湖州产投、湖州中小创投共同设立。

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