《科创板日报》19日讯，SK海力士日前在IEDM 2023全球半导体大会上宣布，其用于HBM制造的混合键合工艺已获得可靠性认证。SK海力士第三代HBM（HBM2E）将DRAM堆叠成8层，在使用混合键合工艺制造后，通过了所有方面的可靠性测试。