《科创板日报》5日讯，在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）期间，拓荆科技董事长吕光泉表示，集成电路创新路径需从平面走向三维，以突破存储墙与I/O带宽限制。原子级制造（ALD/ALE）与前道器件密度提升、键合技术与后道先进封装，是解决带宽与密度问题的关键。三维集成可将I/O带宽提升千倍以上，HBM结构、背面供电技术等成为重要方向。（陈俊清）