关于我们
网站声明
联系方式
用户反馈
网站地图
帮助
首页
电报
话题
盯盘
VIP
FM
投研
下载
全部
加红
公司
看盘
港美股
基金
提醒
2026年03月18日 08:40:38
三星或采用2nm工艺开发HBM5
《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。 (Businesskorea)
阅275.82W
关联话题
半导体芯片
10.21W 人关注
HBM
1.1W 人关注
存储芯片
1.82W 人关注
关于我们
|
网站声明
|
联系方式
|
用户反馈
|
网站地图
|
友情链接
|
举报电话：021-54679377转617
举报邮箱：editor@cls.cn
财联社
©2018-2026
上海界面财联社科技股份有限公司 版权所有
沪ICP备14040942号-9
沪公网安备31010402006047号
互联网新闻信息服务许可证：31120170007
沪金信备 [2021] 2号
