美股存储芯片板块再度飙升，美光科技大涨超19%，总市值首次突破1万亿美元；闪迪涨超7%，西部数据涨超8%，希捷科技涨4%。消息面上，日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α（1-alpha）DRAM芯片。据介绍，1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术，非常适合用于关键应用的长生命周期内存，包括DDR4和LPDDR4产品。

随着AI产业趋势持续，存储龙头加速向先进制程及高端产品线迭代，存储产业链高景气也将维持。中信证券指出，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且过程中供给增速上修空间有限。坚定看好存储产业趋势，行业有望维持高景气，原厂及相关存储设计公司有望更长时间维持高盈利。

据财联社主题库显示，相关上市公司中：

佰维存储发布的Mini SSD产品支持PCIe 4.0×2接口与NVMe 1.4协议，采用3D TLC NAND介质，读取速度高达3700MB/s，写入速度高达3400MB/s，容量范围覆盖512GB~2TB。

‌华海清科的CMP装备在逻辑芯片、DRAM存储芯片、3D NAND存储芯片等领域客户端生产线均表现突出，长期连续运行的技术指标和可靠性指标均达到国际同类设备水平。