《科创板日报》7月4日讯 当地时间7月3日，铠侠宣布，其第十代BiCS FLASH 3D NAND芯片已送样。

据日经新闻报道，铠侠预计在2027年启动量产。

第十代NAND是铠侠迄今技术规格最高的闪存产品，将应用于数据中心的固态硬盘产品线中，以满足日益增长的AI存储需求，并将采用铠侠位于日本岩手县北上工厂Fab2的先进设备进行生产。

铠侠介绍，通过利用CBA（CMOS直接键合阵列）技术以及OPS（间距选择栅极漏极）技术，新产品实现了4.8Gb/s的NAND接口速度。与第八代产品相比，性能提升了33%；通过堆叠332层并提高横向密度，新产品位密度提高了59%（产品密度是指产品内部存储芯片的密度，而非最终用户可用于数据存储的内存容量）；此外，写入和读取的功耗效率分别提高了18%和30%，有助于降低数据中心和企业基础设施的能耗。

铠侠5月15日发布财报指引称，受AI产业普及带动，数据中心存储需求将持续高景气，公司预计2026财年第二季度（4-6月）合并营业收入同比大幅增长410%，至1.75万亿日元；合并营业利润同比暴涨2791%，达到1.298万亿日元；合并净利润同比飙升4649%，录得8690亿日元，营收、营业利润、净利润三项指标均将刷新历史纪录。

针对NAND闪存行业前景，铠侠判断：2026年行业增速预计为15%-19%，到2027年市场将进入供不应求的阶段。

在6月25日的股东大会上，铠侠总裁兼CEO Hiroo Ota表示，收到了许多客户希望签订长期协议（LTA）的请求，NAND闪存业务的核心是AI，尤其受益于推理AI，随着AI智能体的兴起以及AI技术在机器人等领域的应用普及，闪存市场的扩张空间将进一步打开。

铠侠发布新品的同时，韩国厂商正加紧扩产。

SK海力士7月2日宣布，计划在忠清北道清州市投资100万亿韩元进行大规模扩产，其中，SK海力士将于明年启动全新晶圆厂“M17”的建设，预计在2029年前投入80万亿韩元（约514.6亿美元）用于NAND闪存芯片生产。

另外，三星电子也计划在其平泽园区P5工厂新建NAND生产线，洁净室预计明年完工。若计划落实，这将是三星自P3工厂以来首次大规模扩充NAND产能。

不过当下，由于消费端需求放缓，机构预计NAND闪存的涨价幅度可能放缓。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第三季，NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减。