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卡位磷化铟黄金赛道 武汉天源布局化合物半导体新蓝图
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2026-08-29 16:33 星期六
日前,武汉天源完成对中讯半导体(江苏)有限公司60%股权的收购,正式切入磷化铟半导体材料业务。

磷化铟作为Ⅲ‑Ⅴ族核心化合物半导体材料,是支撑5G/6G、AI算力、激光雷达、卫星通信的关键基材,当前全球市场需求快速扩张,但高端衬底长期被海外垄断,面临技术管制,国产替代紧迫性突出。

日前,武汉天源完成对中讯半导体(江苏)有限公司60%股权的收购,正式切入磷化铟半导体材料业务。公司原主业为环保的武汉天源,正转型为“环保+能源”综合集团。此举是其向算力、半导体等新兴领域延伸的关键布局。

切入磷化铟赛道后,公司已具备单晶磷化铟等光电子半导体材料2-4英寸的生产技术条件,并前瞻布局6英寸大尺寸衬底研发。公司依托自身集团转型战略,叠加绿色能源、环保装备的协同优势,锚定化合物半导体材料国产化机遇。

磷化铟战略价值凸显,国产替代迎来窗口期

从行业市场现状来看,全球磷化铟市场规模持续扩容,光通信、激光雷达为主要增长引擎;供给端由海外企业高度垄断,国内国产替代率偏低。当前,海外出口管制加剧国内供应链安全压力,上游高纯磷原料短板仍存,国内迫切需要自主可控的磷化铟衬底产能。

在此背景下,武汉天源将磷化铟作为战略新兴业务核心方向,依托自身绿色能源、高端装备、算力业务积淀,形成跨界入局的差异化优势。

锚定磷化铟衬底,构建技术‑产能‑资源多维能力底座

资本层面,公司通过控股中讯半导体60%股权,正式切入磷化铟研发制造赛道,依托合作主体的专利储备与单晶生长技术积累开展技术攻关。

技术端,公司对标VGF、LEC等行业主流单晶制备工艺,聚焦降低位错密度、提升单晶良品率核心目标,引入流体仿真与数值模拟手段优化晶体生长工艺;现阶段重点推进4英寸衬底工艺成熟化,同时前瞻布局6英寸大尺寸衬底研发。

产业化推进上,公司遵循分阶段实施路径,逐步推进研发、小试、中试与量产爬坡,严格把控产品良率与关键性能指标,稳步实现国产产品对进口的替代。

赋能主业协同升级,夯实集团综合竞争实力

武汉天源于2021年登陆创业板,上市初期主业聚焦环保装备制造、水环境治理与固废处置。2025年5月,公司由“天源环保”正式更名为“天源集团”,在战略层面从单一环保企业向综合型集团转型,确立“环保+能源”双主业发展布局。

近年来,公司业务边界持续向算力基础设施、半导体材料等战略新兴领域延伸,此前已披露斩获1.5亿元算力中心建设订单,并通过产业基金投资布局深海智人、苏州亿铸智能等科技型企业。

此番切入磷化铟半导体材料这一高附加值战略新兴业务,将与公司原有主业形成周期互补,有效降低单一行业波动带来的经营影响,提升整体盈利水平与抗风险能力,进一步夯实公司综合发展的实力基本盘。

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