长鑫存储内存芯片自主制造项目投产 相关公司上风口
2019-09-20 14:24 星期五
20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。

20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮相,一期设计产能每月12万片晶圆。

长鑫存储投产的产品是现在全球市场上的主流产品。“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证,今年底正式交付,另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”大会现场,长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明手持一颗指甲盖大小的芯片说。

DRAM即动态随机存取存储器,是芯片产业中产值占比最大的单一品类。2018年,中国芯片进口额超过3000亿美元,这个单一品类就占到了其中的两成以上。其作为最常见的内存芯片,被喻为连接中央处理器的“数据高速公路”,广泛应用于高性能计算、工业设备、消费电子等电子产品之中。

相关公司:

兆易创新:目前中国大陆领先的闪存芯片设计企业,公司产品广泛应用于手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边,以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。

北京君正:2019年8月,公司及其全资子公司合肥君正拟以定增+现金合计作价72亿元购买北京矽成59.99%股权,以及上海承裕100%财产份额。本次交易完成后,公司将直接及间接合计持有北京矽成100%股权。北京矽成系ISSI、ISSI Cayman以及SIEN Cayman的母公司,ISSI、ISSI Cayman以及SIEN Cayman主营各类型高性能DRAM、SRAM、FLASH存储芯片及ANALOG模拟芯片。

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