多方布局快充领域 第三代半导体材料迎来机遇
原创
2021-06-18 08:08 星期五
财联社
第三代半导体材料GaN具备功率密度大、能量转化效率高及体积小等优势,将成为快充技术升级的重要方向。

据媒体报道,传音尚未发布的旗舰新机型将配备160W充电器,成为全球首款160W快充。另外,电信终端产业协会日前发布《移动终端融合快速充电技术规范》,旨在指定移动终端的融合快速充电标准,解决互配快充不兼容的问题。

目前市面上最高的快充规格是小米等厂商配备的120W快充,最快能在20分钟内充满整部手机。国开证券表示,第三代半导体材料GaN具备功率密度大、能量转化效率高及体积小等优势,将成为快充技术升级的重要方向,有望快速推广。

据财联社主题库显示,相关上市公司中:

民德电子以硅基功率器件为基础,积极布局第三代功率半导体材料、设计、制造等关键领域;亚光科技正全力研发砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术,并在芯片制造领域与国内流片厂深度合作。

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