财联社2月9日讯（编辑 刘蕊）根据Counterpoint本月发布的《内存价格追踪》报告显示，2026年第一季度，全球内存价格环比飙升了80%至90%，创下前所未有的涨幅纪录。

此次价格上涨的主要原因是通用服务器DRAM价格大幅上涨。此外，在第四季度价格表现相对平静的NAND芯片，在今年第一季度也出现了80%至90%的同步上涨。同时，部分HBM3e产品同样出现价格大幅上涨，整个内存市场呈现出全线上扬的趋势。

PC和服务器内存价格趋势(2025年第二季度至2026年第二季度预测)

以服务器级内存为例，64GB RDIMM的价格从去年第四季度固定合同价450美元飙升至第一季度的900多美元，预计第二季度将突破1000美元大关。

Counterpoint高级分析师Jeongku Choi强调：“对于设备制造商而言，这是双重打击——零部件成本上升以及消费者购买力减弱，这可能会导致需求在本季度逐渐放缓。这要求原始设备制造商（OEM）改变采购模式或专注于高端机型，通过为消费者提供更多价值来证明更高价格的合理性。”

目前，智能手机制造商正在减少设备中DRAM芯片的含量，或者用更具成本效益的四层单元（QLC）固态硬盘替代三层单元（TLC）固态硬盘。与此同时，LPDDR4内存的订单量明显下降（目前供应短缺），而LPDDR5内存的订单量则不断增长，这得益于兼容最新DRAM标准的新型入门级芯片组的推出。

Jeongku Choi进一步指出：

“内存芯片盈利能力预计将达到前所未有的水平。尤其是DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达到60%左右，这是通用DRAM的利润率首次超过HBM芯片。2026年第一季度将是DRAM利润率首次超过历史峰值的时期。

也就是说，这要么会树立一个新的常态，要么会设定一个非常高的标准，这个标准现在看起来很稳固，但可能会使下一次下行周期（如果真的存在的话）看起来更加糟糕。”