《科创板日报》3月31日讯 据TheElec最新报道，SK海力士近期订购了一套价值约200亿韩元（约合9020万元人民币）的混合键合设备。这套设备由应用材料（Applied Materials）的化学机械抛光（CMP）和等离子体刻蚀设备，以及维西公司（Vesi）的混合键合机组成。

据悉，此次为SK海力士首次采购量产型混合键合设备，预计将从下一代HBM产品开始大规模应用混合键合工艺。上述设备即将投入产线使用，同时用于未来研发的准备工作。与此同时，公司还计划在其工厂引进韩华半导体开发的混合键合设备，与上述设备一同使用，并开始进行质量测试。

资料显示，混合键合（Hybrid Bonding）工艺属于半导体先进封装技术，本质在于将芯片直接放置在已加工的晶圆上，并通过键合使铜（Cu）直接接触。由于铜与铜直接连接，因此可以提高集成密度，缩短布线长度，从而有望提升器件性能并降低功耗。在封装领域，该技术与 TSV、EMIB等工艺共同形成竞争或互补关系。

东兴证券指出，混合键合技术正从先进选项转变为AI时代的核心基础设施。在存储领域，HBM5为实现20hi超高堆叠采用此项“无凸块”技术以突破物理极限。行业已进入高速落地期：台积电等大厂提前扩产，HBM4/5与高端AI芯片将率先规模应用，相关设备需求预计在2030年前实现数倍增长，标志着该技术已成为驱动下一代算力的确定方向。

同为今日消息，三星电子也开始引入混合键合设备，目前正与多家拥有超声波和X射线无损检测技术的公司（如美国Ontu Innovation公司）洽谈引进相关设备或开展联合研发。其主要目标是识别现有光学设备难以检测的微小缺陷，例如混合键合表面上的空隙。此举有助于最大限度减少昂贵晶圆或HBM在检测过程中的成本损耗。

截至目前，部分企业已经收到三星电子提供的键合晶圆样品并完成了性能测试，测试结果令人满意。

在存储巨头相继引进先进封装设备的背后，是存储技术的持续进步。在本月举行的GTC大会上，三星电子发布了一段关于其HBM混合键合技术的视频，此前该公司展示了使用晶圆间（W2W）混合键合技术制造4F² DRAM的过程。该方法涉及将外围电路（外围）晶圆和单元阵列晶圆精确地垂直堆叠，因此需要能够观察混合键合界面的设备。

从半导体设备行业层面来看，各厂商同样正陆续推出更为前沿的先进封装设备。在刚刚举办的SEMICON China大会上，北方华创推出了12英寸D2W混合键合设备Qomola HPD30；拓荆科技发布涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品的3D IC系列新品；晶盛机电针对先进封装领域的痛点需求，推出了专为半导体3D集成设计的12寸W2W高精密键合设备。

招商证券认为，随着制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍，先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。

产能布局方面，SEMI数据显示，全球半导体产能将从2020年的2510万片增至2030年的4450万片，国内晶圆产能将从490万片增至1410万片，翻近三倍，全球市场份额从20%升至32%。设备投资方面，国内自2020年起已连续六年保持全球第一设备市场规模，2027年市场份额有望接近30%。

投资方面，东方证券表示，部分投资者低估了国产设备厂商在晶圆制造设备上的技术创新能力以及产品竞争力，国内企业正持续强化创新布局，先进封装设备重要性提升，晶圆制造设备持续升级。建议关注：北方华创、中微公司、盛美上海、拓荆科技、华海清科、百傲化学、芯源微、精测电子等。